无机固体化学.ppt

在通常的温度下，在半导体中，可能因为有少数能量较高的电子从满带激发到空带，使满带产生少数“空穴”，空带有了少数电子，故能起一定的导电作用。随着温度升高，从满带激发到空带的电子增多，导电性增加，这就是半导体为什么随温度上升导电性增加的原因。工业上最常用的半导体是单质硅、锗等,硅和锗都具有4个价电子，刚好填满由3s和3p价轨道形成的价带，在某个给定的温度下，可通过热激发从价带向空带激发一个电子和在价带上留下一个空穴，而空带有了电子成为导带。导带中的电子和价带中的空穴在外加电场中产生对流运动从而有了导电性能。绝缘体因为禁带很宽，即使在外电场作用下,满带中的电子也不能越过禁带跃迁到空带形成导带，因此不导电。第62页,共87页，星期六，2024年，5月纯物质的晶体所具有的半导性能称为“本征”半导电性，所谓本征半导体指的就是纯物质半导体。由于本征半导电性与温度或热有关，所以本征半导是对热敏感的电阻和对温度敏感的电阻的基础。不过，本征半导体在低温时半导体性能较差。一些具有与Si、Ge相同价电子数的化合物，根据等子原理，他们是4＋4、3＋5、2＋6和1＋7的化合物。如GeAs、Ge有三个价电子，As有5个价电子，平均为四个；又如CdTeCd有2个价电子，Te有6个价电子,平均也是4个；AgI，Ag有1个价电子,碘有7个价电子,平均也是4个。这些化合物也有刚好充满电子的价带,因而可期望这些化合物与Si、Ge有相同的半导体性能。情形确实如此，这种半导体被称为化合物半导体。这些化合物半导体的禁带宽度各不相同，一般说来，禁带的宽度随价电子定域性的增加而增加。因此，当化合物是由电负性较小的金属元素与电负性较大的非金属元素所组成时，如NaCl，此时禁带的宽度较大，这些化合物的绝缘性就好。这是由于两元素的的电负性相差大，电子相应定域在电负性大的元素周围之故。3本征半导体和化合物半导体第63页,共87页，星期六，2024年，5月4杂质半导体为了改善本征半导体如Si在低温时半导体性能，可以将一些B原子掺入到Si的晶体中，由于B原子只能贡献出3个价电子，不能保证价带为全满的状态，这样就在价带中产生了可以导电的空穴。若控制加入的B杂质的量，就能控制空穴的数目，从而得到不同性能的半导体。相对于Si来说，由于B缺少一个电子。因而在价带中形成的空穴是正空穴；另外，Si的电负性较大，如果不给予一定的能量，Si的电子仍趋于定域在Si原子周围之上，而不会迁移到B原子之上。这种电负性的差别所引起的结果是产生了一个新的禁带。参见右图，B原子的能级处于Si的价带的上方,且同Si的价带只有一个小的能隙△Eg。只要给一个很小的电离能,Si原子上的电子就会转移到B原子之上,并在Si的价带上形成空穴,从而使Si因在价带内有了空穴而导电,这里,由于掺入的B是接受一个电子的,所以这种体系叫受主半导体或叫P型半导体，P符号表示正的空穴(Positiveholes)。很显然,在掺B的硅的半导体中,原来的纯硅的禁带不再存在。受主能级价带△Eg×能隙空带P型半导体和受主能级ooo第64页,共87页，星期六，2024年，5月还有一种相反的体系，将As掺入Si的晶体，由于As具有五个电子，引起电子的过剩，As给出第五个电子形成施主半导体或n型半导体，n为负的意思(negativeelectrons)。施主砷的能级位于硅的价带和空带之间且同空带只有一个小的能隙。因此，只要给一个很小的能量，处于As原子上的电子就能激发到Si半导体的空带从而形导带(见下图)。导带上的这些电子可以导电。很显然，导电的程度取决于加入的杂质As的量。施主能级价带△Eg×能隙空带n型半导体和受主能级第65页,共87页，星期六，2024年，5月5缺陷半导体和控制价半导体缺陷半导体是指有通式为MY1＋x或M1＋xY的缺陷晶体(其中x是一个小的分数)，他们具有半导体的特性。例如，对于M1＋xY，显然晶体有负离子的的空位。通常负离子空位是由电子占据，这就是“F－心”成“色中心”，“F－心”中的电子可以受热激发到导带，从而产生n型半导体。对于MY1＋x，显然有金属正离子的空位，正离子空位实则上就是正的空穴，因而这类晶体将显示P型的半导性能。还有一类半导体，被称为控价半导体。例如，当在NiO中掺入少量Li＋，将引起Ni2＋的氧化