光检测器(APD特性表征公式).ppt

噪声部分：量子噪声和暗电流噪声光信号照射到检测器时，光电子产生和收集过程具有随机性，从而带来量子噪声。对于接收带宽为B的接收机，量子噪声均方根电流由下式决定：其中F(M)?Mx是噪声系数，它与雪崩过程的随机特性有关。另外暗电流是指，没有光入射时流过检测器偏置电路的电流，它是体暗电流iDB和表面暗电流iDS之和。iDB来自于检测器的pn结内因为热运动而产生的电子空穴。对于APD，iDB为：表面暗电流由表面结构(缺陷、清洁程度、面积大小)和偏置电压决定：会被雪崩区放大不会被雪崩区放大因子F用于衡量由于倍增过程的随机性导致的检测器噪声的增加。参数x称为过剩噪声指数，一般取决于材料，并在0~1之间变化，x对于SiAPD为0.3，对InGaAsAPD为0.7，对GeAPD为1.0。APD中的雪崩过程具有统计特性，不同的光生载流子的放大倍数可能不同，给放大后的信号带来了幅度上的随机噪声。这里定义F为过剩噪声因子，它近似等于：雪崩倍增噪声光检测器的总均方噪声电流为：放大器输入阻抗一般远大于负载电阻RL，因此检测器的负载热噪声由RL的热噪声决定：其中KB为波尔兹曼常数，T是绝对温度。020103总噪声InGaAs光电二极管在波长为1300nm时有如下参数：初级体暗电流ID=4nA，负载电阻RL=1000W，量子效率h=0.90，表面暗电流可以忽略，入射光功率为300nW(-35dBm)，接收机带宽为20MHz，计算接收机的各种噪声。首先计算初级光电流：量子噪声均方根电流：例3在没有遭遇接收机电路热噪声之前就被放大。产生的光生电子在高电场区与价带电子发生激烈碰撞，从而激发出更多的空穴-电子对，这个过程称为碰撞电离。新产生的载流子在高电场下继续碰撞，导致越来越多的碰撞电离，即雪崩效应。5第六章光检测器光电二极管的物理原理光检测器噪声检测器响应时间雪崩倍增噪声InGaAsAPD结构温度对雪崩增益的影响主要内容光电检测器的要求光电检测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是：在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流；具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统；具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响；具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真；具有较小的体积、较长的工作寿命等。目前常用的半导体光电检测器有两种：pin光电二极管和APD雪崩光电二极管。光电二极管实际上类似于一个加了反向偏压的pn结。它在发向偏压的作用下形成一个较厚的耗尽区。当光照射到光电二极管的光敏面上时，会在整个耗尽区(高场区)及耗尽区附近产生受激跃迁现象，从而产生电子空穴对。电子空穴对在外部电场作用下定向移动产生电流。1光电二极管的物理原理2只有少数载流子在电场作用下漂移3多数载流子的扩散行为被反向电场抑制4由于常态下少数载流子含量很少，因此漂移行为非常微弱5pin光电二极管的结构pin光电二极管是在掺杂浓度很高的p型、n型半导体之间加一层轻掺杂的n型材料，称为i(本征)层。由于是轻掺杂，电子浓度很低，加反向偏置电压后形成一个很宽的耗尽层。耗尽区pin光电二极管的工作原理+-1.能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上，可以产生自由电子空穴对(光生载流子)。2.耗尽区的高电场使得电子空穴对立即分开并在反向偏置的结区中向两端流动，然后它们在边界处被吸收，从而在外电路中形成光电流。当电载流子在材料中流动时，一些电子-空穴对会重新复合而消失，此时电子和空穴的平均流动距离分别为Ln和Lp，这个距离即扩散长度，分别由下式决定：Dn和Dp分别为电子和空穴的扩散系数，tn和tp为电子和空穴重新复合所需的时间，称为载流子寿命。在半导体材料中光功率的吸收呈指数规律：其中as(l)为材料在波长l处的吸收系数，P0是入射光功率，P(x)是通过距离x后所吸收的光功率。1as(l)增加2P(x)3x4电子和空穴的扩散长度不同材料吸收系数与波长的关系材料的截止波长lc由其带隙能量Eg决定：若波长比截止波长更长，则光子能量不足以激励出一个光子。此图还说明，同一个材料对短波长的吸收很强烈(as大)。而且短波长激发的载流子寿命较短，因为粒子的能级越高，越不稳定。光吸收系数(cm-1)光穿透深度(mm)光子能量增大方向特定