模电课件第五章.ppt

（2）高频模型第61页,共72页，星期六，2024年，5月结型场效应晶体管共源放大电路sdRdRg2g+–Rg1Rg3viRvgs+–gmvgs–+rdsv0(b)小信号等效电路(a)结型场效应晶体管共源电路Cb1+–RgdsRg2VDDCb2+–Rg3Rg1Rd＋＋2.动态指标分析第62页,共72页，星期六，2024年，5月sdRdRg2g+–Rg1Rg3viRvgs+–gmvgs–+rdsv0(b)小信号等效电路2.动态指标分析结型场效应晶体管共源放大电路(1)忽略rds，求得放大电路的中频增益Av为：(b)小信号等效电路v0sdRdRg2g+–Rg1Rg3viRvgs+–gmvgs–+第63页,共72页，星期六，2024年，5月2.动态指标分析(2)输入电阻(3)输出电阻(b)小信号等效电路v0sdRdRg2g+–Rg1Rg3viRvgs+–gmvgs–+第64页,共72页，星期六，2024年，5月例5.3.1：电路如图5.3.8a所示，设Rg3=10MΩ,Rg1=2MΩ,Rg2=47kΩ,Rd=30kΩ,VDD=18V,JFET的VP=-1V，IDSS=0.5mA，且λ=0。试确定Q点。图5.3.8a结型场效应晶体管共源电路Cb1+–RgdsRg2VDDCb2+–Rg3Rg1Rd＋＋RgdsRg2VDDRg3Rg1Rd图5.3.8a所示电路的直流通路第65页,共72页，星期六，2024年，5月例5.3.1：电路如图5.3.8a所示，设Rg3=10MΩ,Rg1=2MΩ,Rg2=47kΩ,Rd=30kΩ,R=2kΩ,VDD=18V,JFET的VP=-1V，IDSS=0.5mA，且λ=0。试确定Q点。RgdsRg2VDDRg3Rg1Rd图5.3.8a所示电路的直流通路解：∵iG=0V,∴静态时没有电流流过Rg3VGVS设JFET工作在饱和区，则有：联立??可解得取IDIDSS,∴ID=0.31mA,代入?式得VGSQ=-0.22V计算结果表明，VDSQ=8.1V(VGSQ-VP)=0.78V,JFET的确工作在饱和区，与假设一致。第66页,共72页，星期六，2024年，5月*5.4砷化镓金属-半导体场效应管本节不做教学要求，有兴趣者自学第67页,共72页，星期六，2024年，5月5.5各种放大器件电路性能比较第68页,共72页，星期六，2024年，5月5.5各种放大器件电路性能比较组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCG电压增益：BJTFETCE：CC：CB：CS：CD：CG：第69页,共72页，星期六，2024年，5月输出电阻：BJTFET输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：5.5各种放大器件电路性能比较第70页,共72页，星期六，2024年，5月解：画中频小信号等效电路例题放大电路如图所示。已知试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。第71页,共72页，星期六，2024年，5月例题则电压增益为由于则根据电路有第72页,共72页，星期六，2024年，5月5.2.1MOSFET放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）直流通路共源极放大电路第29页,共72页，星期六，2024年，5月1.直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）假设工作在饱和区，即验证是否满足如果不满足，则说明假设错误须满足VGSVT，否则工作在截止区再假设工作在可变电阻区即5.2.1MOSFET放大电路第30页,共72页，星期六，2024年，5月假设工作在饱和区满足假设成立，结果即为所求。解：例5.2.1：设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?，试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ。VDD=5V，VT=1V，第31页,共72页，星期六，2024年，5月1.直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路饱和区需要验证是否满足5.2.1MOSFET放大电路第32页,共72页，星期六，2024年，