双极型晶体管的频率.ppt

*二、晶体管高频h参数及其等效电路1、共基极h参数及其等效电路输入端电压为两部分电压串联输入电流在输入阻抗上的压降输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电流为两部分电流并联被放大的输入电流（电流源）输出电压在输出阻抗上产生的电流~+-+-iehrbucichibhfbIchobbech参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，因而其间可以互相转换低频时可忽略电容效应高频时可忽略基区宽变效应h11和h12的意义h21和h22的意义2、共发射极h参数及其等效电路h参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。h参数与工作点有关，在放大区基本不变。h参数都是微变参数，所以只适合对交流小信号的分析§3.4高频下晶体管中载流子的输运过程*目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系）方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数）实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用）发射结发射基区输运集电结收集集电极输出一、发射效率及发射结延迟时间*对CTe进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致γ降低*因re、CTe并联，具有等电压关系发射极截止角频率发射结延迟时间CTe的作用：1、对Ie的分流作用使发射效率幅值随频率升高而下降2、RC延迟作用使注入电流滞后于输入电流一个相位角二、基区输运系数及基区渡越时间*基区输运系数随信号频率升高而减小：01实质是高频信号首先对发射结扩散电容充放电（基区积累电荷的数量改变），这一电流仅形成基极电流，对输出电流没有贡献，导致输运系数降低及信号延迟02注意：以集电极交流短路为条件，即uc=0基区输运系数及基区渡越时间进行整理、简化，得*对均匀基区m＝0.22对基区杂质按指数分布的缓变基区晶体管对于均匀基区，如果展开双曲函数后取一级近似，则有*比较上两式，有因re和Cde并联等电压，则有对于均匀基区渡越时间有以下三个表达式：*由于不同的近似或省略造成系数上的差别，其本质都是发射结扩散电容充放电（改变基区积累的电荷数）引起基区渡越延迟时间，即基区渡越时间。m的实质是基区少子建立准稳态分布的弛豫时间发射结等效电路发射结上电压的交变同时引起CDe和CTe的充放电，这两部分电容的充放电电流最后均转变成基极电流，使总发射极电流随频率升高而增大，发射效率下降。在等效电路上CTe和CDe是并联的，但实质上CTe反映的电荷变化发生在eb结势垒区，而CDe反映的电荷变化发生在基区中。三、集电结势垒输运系数及渡越时间*通过基区输运到集电结势垒边界的载流子，在反偏集电结空间电荷区强电场作用下漂移通过空间电荷区，同时产生幅值的下降和相移，其实质是交流信号作用下，集电结空间电荷区边界平移，载流子对空间电荷区充放电而引起的正半周负半周集电结空间电荷区没有交流信号*负半周集电结空间电荷区没有交流信号正半周电子穿过集电结空间电荷区引起其中电荷分布的变化直流时，这种变化是稳定的，小注入下可以忽略（耗尽层近似）交流时，这种变化是交变的在信号正半周，流入电子（负电荷）密度增大，负电荷区电荷密度增大，正电荷区电荷密度减小；一定的结电压下，前者变窄，后者变宽在信号负半周，流入电子（负电荷）密度减小，负电荷区电荷密度减小，正电荷区电荷密度增大；一定的结电压下，前者变宽，后者变窄正负电荷区宽度的变化由载流子的流动实现，相当于电容的充、放电，电子由穿过集电区的电子流分流，空穴由基极电流提供*关于集电结势垒渡越时间（空间电荷区延迟时间）有平行板电容器模型——《晶体管原理》张屏英周佑谟单边突变结模型——《微电子技术基础》曹培栋——参考Qd=Q/2模型——《双极型和场效应晶体管》——自学附加电场的电力线终止在极板上，使极板上感应出相应的电荷极板a上感应正电荷，对应基极电流提供的空穴极板b上感应正电荷，对应集电区侧空间电荷区展宽，电子流出，形成传导电流因此，运动电荷尚未到达b极板，极板上已因感应而产生传导电流集电结空间电荷区是载流子耗尽的高阻区，相当于平行板电容器空间电荷区边界相当于电容器的极板空间电荷区宽度相当于电容器极板间距离集电结电压相当于板间所加电压输出端交流短路时，板间电压为集电结反向偏置电压若有一面密度为Qs的电荷层在板间电场作用下，以速度v由a向b运动运动电荷产生徙动电流Qv电荷层前