2025年(整理)微电子工艺答案,整理好的了.pdfVIP

天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿其体肤，空乏其身，行拂乱其所为。——《孟子》

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1.1.保护器件避免划伤和沾污

2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化）

3.栅氧或存储单元结构中的介质材料

4.掺杂中的注入掩蔽

5.金属导电层间的电介质

6.减少表面悬挂键

2.化学反应：Si+2H2O-SiO2+2H2

水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中

扩散更快、溶解度更高

3.、1.干氧：Si＋O2SiO2

氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶

的粘附性好

2、水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2(气)

氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差

3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应

氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间

4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气

5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷

6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统

4.工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝

和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片

架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气

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以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子》

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体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺

时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速

率、装卸硅片...

1.(1)薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。.

（2）.好的台阶覆盖能力..高的深宽比填隙能力(3:1)

厚度均匀(避免针孔、缺陷）..高纯度和高密度..受控的化学剂量

..结构完整和低应力（导致衬底变形,

..好的粘附性避免分层、开裂致漏电）

2.（1）晶核形成

分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。（2）凝

聚成束形成(Si)岛，且岛不断长大（3）连续成膜岛束汇合并形成固

态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅

栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的

3.答：..多层金属化：用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层..

关键层：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

..对于ULSI集成电路而言，特征尺寸的范围在形成栅的多晶硅、栅

氧以及距离硅片表面最近的金属层。介质层

..层间介质（ILD）

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太上有立德，其次有立功，其次有立言，虽久不废，此谓不朽。——《左传》

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ILD－1：隔离晶体管和互连金属层；隔离晶体管和表面杂质。采用

低k介质作为层间介质，以减小时间延迟，增加速度。

4.答：膜淀积技术分类化学方法（1）CVD

a.APCVD(AtmospherePressureChemicalVaporDeposition)b.LPCVD

c.等离子体辅助CVD：HDPCVD(High-DensityPlasmaCVD)、

PECVD(PlasmaenhancedCVD)d.VPE和金属有机化学气相淀积(2)电

镀：电化学淀积（ECD）、化学镀层物理方法：（1）PVD

（2）蒸发(含MBE)（3）旋涂(SOG,SOD)

5.答：1)质量传输2)薄膜先驱物反应3)