Si基GaNHEMT功率电子器件研制开题报告.docxVIP

PAGE

1-

Si基GaNHEMT功率电子器件研制开题报告

一、项目背景与意义

(1)随着全球能源需求的不断增长，高效、可靠的电力电子器件在新能源发电、电力传输与分配以及消费电子等领域发挥着至关重要的作用。功率电子器件作为电力电子系统中的核心组件，其性能直接影响整个系统的效率、可靠性及成本。近年来，随着半导体技术的发展，Si基GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）作为一种新型功率电子器件，因其优异的电气性能和物理特性，如高击穿电压、高电子迁移率、低导通电阻等，受到了广泛关注。据市场调研数据显示，Si基GaNHEMT器件市场预计将在未来几年内以超过20%的年复合增长率迅速扩张。

(2)Si基GaNHEMT器件在功率电子领域的应用具有显著优势。以新能源汽车为例，Si基GaNHEMT器件可以显著提高电机驱动器的效率，降低能量损耗，从而提高车辆的续航里程。此外，在风力发电领域，Si基GaNHEMT器件的应用有助于降低风力发电系统的体积和重量，提高系统可靠性。根据相关研究，采用Si基GaNHEMT器件的风力发电系统，其效率可提升5%以上，发电成本降低10%左右。这些数据充分表明，Si基GaNHEMT器件在提高能源利用效率和降低成本方面具有巨大的潜力。

(3)在当前的国际竞争格局下，掌握Si基GaNHEMT功率电子器件的关键技术对于提升我国在新能源、高端制造等领域的国际竞争力具有重要意义。近年来，我国政府高度重视半导体产业的发展，并出台了一系列政策措施以推动产业升级。在此背景下，开展Si基GaNHEMT功率电子器件的研制工作，不仅可以满足国内市场需求，降低对外部技术的依赖，还可以推动相关产业链的完善和升级，为我国经济的可持续发展提供有力支撑。

二、国内外研究现状

(1)国外在Si基GaNHEMT功率电子器件的研究方面起步较早，技术成熟度较高。欧美国家如美国、德国、日本等在材料科学、器件物理和工艺技术等方面具有明显优势。其中，美国Cree公司是全球领先的SiC和GaN半导体材料及器件供应商，其GaNHEMT器件在功率电子领域具有广泛应用。Cree公司的Si基GaNHEMT器件在性能上已达到国际先进水平，其击穿电压可达650V，导通电阻低至0.3mΩ。此外，德国Infineon公司、日本ROHM公司等也在GaN功率器件领域取得了显著成果，其产品在汽车电子、工业控制等领域具有较高市场份额。据统计，2019年全球GaN功率器件市场规模达到10亿美元，预计到2025年将超过30亿美元。

(2)国内对Si基GaNHEMT功率电子器件的研究也取得了长足进步。近年来，我国在GaN单晶生长、外延工艺、器件设计与制备等方面取得了显著成果。中国科学院、清华大学、北京大学等高校和科研机构在GaN材料与器件研究方面取得了多项突破。例如，中国科学院半导体研究所成功研制出高击穿电压、低导通电阻的Si基GaNHEMT器件，其性能达到国际先进水平。清华大学、北京大学等高校在GaN器件的建模与仿真、器件可靠性等方面也取得了创新性成果。此外，国内企业如华星光电、三安光电等也在GaN功率器件领域进行了大量研发投入，部分产品已实现量产。

(3)尽管我国在Si基GaNHEMT功率电子器件研究方面取得了一定的成果，但与国外先进水平相比，仍存在一定差距。主要表现在以下几个方面：一是材料制备与器件工艺水平有待提高，导致器件性能不稳定；二是关键设备与材料依赖进口，影响产业链的自主可控；三是基础研究相对薄弱，导致技术创新能力不足。针对这些问题，我国政府和企业应加大研发投入，推动产学研合作，加快关键核心技术突破，提升我国在Si基GaNHEMT功率电子器件领域的国际竞争力。同时，加强与国外先进企业的交流与合作，共同推动GaN功率电子器件技术的快速发展。

三、研究内容与目标

(1)本项目的研究内容主要包括以下几个方面：首先，对Si基GaNHEMT材料的制备工艺进行深入研究，优化外延生长条件，提高材料质量；其次，针对器件结构进行优化设计，通过仿真分析确定最佳器件结构参数；再者，研究器件的制备工艺，包括光刻、蚀刻、离子注入、金属化等步骤，确保器件性能的稳定性和可靠性。

(2)研究目标设定为：一是实现Si基GaNHEMT材料的制备，达到国际先进水平；二是设计并制备出高性能的Si基GaNHEMT器件，其击穿电压不低于650V，导通电阻低于0.3mΩ；三是建立一套完整的Si基GaNHEMT器件性能测试与评估体系，为器件的应用提供技术支持。通过这些研究内容的实施，旨在推动我国Si基GaNHEMT功率电子器件技术的发展，满足国内外市场需求。

(3)本项目预期成果包括：首先，形成一套完善的Si基GaNHEMT材料制备工艺，为后续器件研发提供高质量的材料基础；其次，开发出高性能的Si基GaNHEMT器