二轮复习第2部分专题3易错警示与规范解答市公开课一等奖省赛课微课金奖课件.pptx

专题三易错警示与规范解答;对概念了解不准确;第3页;【答案】C;(12分)如图所表示,质量m1

＝0.1kg、电阻R1＝0.3Ω、长

度l＝0.4m导体棒ab横放在

U形金属框架上,框架质量m2＝0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间动摩擦因数μ＝0.2.相距0.4mMM′、NN′相互平行,电阻不计且足够长.电阻R2＝0.1ΩMN垂直于MM′.;整个装置处于竖直向上匀强磁场中,磁感应强度B＝0.5T.垂直于ab施加F＝2N水平恒力,ab从静止开始无摩擦地运动,一直与MM′、NN′保持良好接触.当ab运动到某处时,框架开始运动.设框架与水平面间最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2.

(1)求框架开始运动时ab速度v大小；

(2)若ab开始运动到框架开始运动过程中,MN上产生热量Q＝0.1J,求该过程中ab位移x大小.;第7页;第8页;【答案】(1)6m/s(2)1.1m;对隐含条件挖掘不到位;A．若其它条件不变，只将小球抛出点水平向右移动一小段距离，则小球仍能垂直打到斜面上

B．若斜面倾角α一定，要使小球总能垂直打到斜面上，则水平速度v0越大，小球飞行水平距离越大

C．若斜面倾角α一定，要使小球总能垂直打到斜面上，则水平速度v0越小，小球飞行时间越长

D．若其它条件不变，只把小球抛出点竖直升高，小球仍能垂直打到斜面上;第12页;②认为小球抛出点竖直升高时，水平位移和竖直位移同时增大，小球仍能垂直打到斜面上而错选D项．原因是该问题隐含关系是只把小球抛出点竖直升高，小球打到斜面上时位移会增大，所以速度与斜面间夹角会发生改变，不再垂直斜面．;第14页;【答案】B;对临界条件分析不透彻;A.从Od段射入粒子,出射点全部分布在Oa段

B.从Oa段射入粒子,出射点全部分布在ab边

C.从Od段射入粒子,出射点分布在Oa段和ab边

D.从Oa段射入粒子,出射点分布在ab边和bc边

【易错诊疗】本题轻易错选B,错误主要原因是把粒子在磁场外运动也当成匀速圆周运动,受思维定势影响,不注意认真分析是造成错误根本原因.错解以下:从O点发出粒子打到b点,从Oa间发出粒子则均打在ab边.;第18页;【答案】D;分析物理问题不到位、

规律使用错误;三个正方形区域中分别存在方向为竖直向下、竖直向上、竖直向上匀强电场,其场强大小百分比为1∶1∶2.现??一带正电滑块以某一初速度从E点射入场区,初速度方向水平向右,滑块最终恰从D点射出场区,已知滑块在ABFE区域所受电场力和所受重力大小相等,桌面与滑块之间动摩擦因数为0.125,重力加速度为g,滑块能够看做质点.求：

(1)滑块进入CDHG区域时速度大小；

(2)滑块在ADHE区域运动总时间．;【易错诊疗】①没有详细进行受力分析,认为滑块垂直进入匀强电场就一定做类平抛运动,所以将滑块在三个区域运动都看成类平抛运动;

②不能正确连接滑块在三个区域运动过程和使用逆向思维,单纯从E到G计算滑块过G点速度,因缺乏条件造成无法求解.;【规范解答】设三个区域场强大小依次为E、E和2E,滑块在三个区域运动时间分别为t1、t2和t3.由受力分析可知,滑块从E到G沿桌面运动,进入CDHG后做类平抛运动．;第24页;第25页;第26页;模型建立不到位、思维定势;开启加速度a1;第29页;第30页