高性能p-CuI薄膜的制备工艺与物性调控机制研究.docx

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2025-02-21 发布于上海
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高性能p-CuI薄膜的制备工艺与物性调控机制研究.docx

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一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子和光电子领域不断涌现出创新的材料与技术，为众多前沿应用带来了新的机遇。p-CuI薄膜作为一种本征p型宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，在电子和光电子器件中展现出了巨大的应用潜力。

p-CuI薄膜具有诸多优异特性，使其成为科研人员关注的焦点。其空穴迁移率较高，这一特性使得在电子传输过程中，空穴能够高效地移动，从而为实现高速、低功耗的电子器件提供了可能。在集成电路中，较高的空穴迁移率有助于提高芯片的运行速度，降低能耗，满足电子产品日益轻薄化、高性能化的需求。组成p-CuI薄膜的元素无毒且储量丰富，这不仅符合绿色环保的