2025年《集成电路先进制造工艺工程师》高级培训课程试题.pdfVIP

臣心一片磁针石，不指南方不肯休。——文天祥

《集成电路先进制造工艺工程师》高级培训课程试题

一、单选题（每题2分,共20分）

1、ALD期望的前驱体吸附过程为（）

A.不可逆的饱和吸附(正确答案)

B.可逆的饱和吸附

C．不可逆的不饱和吸附

D.不可逆饱和吸附没到饱和状态

2、原子层刻蚀（ALE）能实现高精度其最为重要的特征为()

A.高刻蚀速率

B.刻蚀过程具有自限制的特点(正确答案)

C.高选择比

D.各向同性

3、STEM-HAADF图像的信号来源于（）

A．高角度弹性散射的透过电子(正确答案)

B.小角度散射的透过电子

C.背散射电子

D.非弹性散射电子

4、2DNAND的基本存储器件单元是()

A.MOSFET

B.FG(正确答案)

C.CTM

D.IGBT

臣心一片磁针石，不指南方不肯休。——文天祥

5、3DNAND的基本存储器件单元是()

A．MOSFET

B.FG

C.CTM(正确答案)

D.IGBT

6、NANDFlash以（）为单位进行擦除。

A.Block(正确答案)

B.Page

C.String

D.Word

7、NANDFlash以(为单位进行读取。)

A.Block

B.Page(正确答案)

C.String

D.Word

8、下面属于异质外延的是（）

A.Si上外延Si

B.Ge上外延Ge

C.Ge上外延GaAs(正确答案)

D.GaAs上外延GaAs

9、下面哪种前驱体的外延温度最低（）

百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

A.SiH4(正确答案)

B.Si2H6

C.Si3H8

D.Si2H2CL2

10、外延工艺常用的硅源有()

A.HCL

B.Ge2H6

C.PH3

D.SiCL4(正确答案)

二、多选题（每题3分,共60分）

1、ALE刻蚀一般具有哪两个基本步骤()

A.表面吸附

B.表面修饰(正确答案)

C.表面扩散

D.表面修饰层去除(正确答案)

2、ALE的主要以下哪些优点()