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碳化硅单晶衬底及外延片产业化项目实施方案;目录;01;碳化硅（SiC）具有高硬度、高熔点、高热导率、高化学稳定性以及优异的抗辐射性能，是制作高温、高频、大功率及抗辐射电子器件的理想材料。;;项目目标与期望成果;风险评估与应对策略;02;采用高纯度碳化硅粉料，通过高温物理气相传输方式，在籽晶上生长出碳化硅单晶。;对碳化硅单晶衬底进行清洗、抛光等预处理，确保表面平整度和洁净度。;流程梳理;;03;成本控制措施;采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜等手段，对原材料进行全方位的质量检测，确保原材料符合生长工艺要求。;供应商评估与合作关系建立;;04;生产车间整体布局规划;;所有员工必须接受安全培训，了解生产过程中的安全风险和应对措施。;节能减排与环保要求落实;05;针对碳化硅单晶衬底及外延片的生产工艺，开展专业技能培训，提高员工操作熟练度和产品质量。;明确岗位职责;;;06;本项目主要面向半导体材料、器件及集成电路制造企业，以及电子信息、航空航天、国防军工等高端应用领域。;;销售渠道开发;提供专业的技术咨询和产品选型支持，帮助客户了解产品性能和应用领域。;07;;;与供应商建立长期合作关系，确保原材料稳定供应并降低采购成本。;风险资金储备和应对方案;谢谢
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