纳米材料的磁学性能.pptVIP

没有外加磁场时，相邻磁层存在反平行磁矩两种自旋状态的传导电子都在穿过磁矩取向与其自旋方向相同的一个磁层后，遇到另一个磁矩取向与其自旋方向相反的磁层，并在那里受到强烈的散射作用，也就是说，没有哪种自旋状态的电子可以穿越两个或两个以上的磁层。在宏观上，多层膜处于高电阻状态。外加磁场足够大，反平行排列的各层磁矩都沿外场方向排列一致。传导电子中，自旋方向与磁矩取向相同的那一半电子可以很容易地穿过许多磁层而只受到很弱的散射，而另一半自旋方向与磁矩取向相反的电子则在每一磁层都受到强烈的散射作用。有一半传导电子存在一低电阻通道。在宏观上，多层膜处于低电阻状态，这样就产生了GMR现象。上述模型的描述是非常粗略的，而且只考虑了电子在磁层内部的散射，即所谓的体散射。实际上，在磁层与非磁层界面处的自旋相关散射有时更为重要，尤其是在一些GMR较大的多膜层系统中，界面散射作用占主导地位。虽然多膜层具有很高的GMR，但由于强反铁磁耦合使饱和磁场高（1T），其磁场传感灵敏度S=ΔR/(RHS)低于0.01％/Oe，远小于玻莫尔合金的灵敏度0.3％/Oe。巨磁阻磁头的核心部分是四层膜：自由膜、非磁性膜、引线膜和反铁磁膜。其中，自由膜和引线膜采用的是磁性材料，自由膜属于软磁材料，引线膜使用硬磁材料，它们之间是一层非磁性膜，其采用非磁性金属材料，对自由膜和引线膜进行磁隔离，但不进行电隔离。引线膜的背面是反铁磁膜，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转场会将引线膜的磁化方向固定。巨磁阻磁头示意图自由膜的作用是对盘片上的磁记录信息作响应，在没有外加磁场的情况下，它的磁化方向与引线膜垂直，此时无论何种自旋方向的电子都很难穿过自由膜和引线膜，相当于电阻值高。01读取数据时，电流持续流经各膜，通过检测电阻的变化就可以得到反映磁记录位的磁场方向和磁通强度的函数。这种利用电子的自旋特性、像阀门一样限制电子移动的结构就被称为自旋阀结构，也是当今主流的磁头结构。03当盘片上的磁记录位的磁场方向和自由膜的磁化方向相反时，自由膜的磁化方向发生偏转，与引线膜平行，此时自旋方向平行于它们的电子就很容易穿过这两层，相当于电阻值低。02IBM公司制造的巨磁阻磁头示意图纳米颗粒膜的GMR效应除颗粒尺寸外，巨磁电阻效应还与颗粒形态相关，对合金进行退火处理可以促使进一步相分离，从而影响巨磁电阻效应。纳米颗粒膜是指纳米量级的铁磁性相与非铁磁性导体相非均匀析出构成的合金膜。在铁磁颗粒的尺寸及其间距小于电子平均自由程的条件下，颗粒膜就有可能呈现GMR效应。1纳米颗粒合金中的GMR效应最早是在溅射Cu-Co合金单层膜2（膜厚数百纳米）中发现的，它表现出比较大的负效应，3室温下，在160kA/m的磁场下，MR比最大达7％。4Cu-Co合金单层膜系统中的母相为Cu，6当传导电子在Cu母相中流过时，出现GMR效应。5在母相中弥散分布着Co纳米颗粒相，后者具有磁矩。纳米颗粒膜中的巨磁阻效应是如何产生的呢？主要源于：电子在磁性颗粒表面或界面的散射。它与颗粒直径成反比，或者说与颗粒的比表面积成正比关系。颗粒粒径越小、表面积越大，界面所起的散射作用越大。01GMR效应与颗粒半径成线性关系02颗粒半径越小，GMR效应越显著Co20Ag80纳米颗粒膜的GMR效应与Co颗粒半径的关系CoxAg1-x颗粒膜的GMR效应与Co含量（x）之间的关系Co含量（x）=22%时GMR效应最显著电子不受绝缘层的影响，但要受到铁磁性A层、铁磁性B层自发磁化Ms的影响。自旋方向不同的电子穿过隧道的几率不同，所产生的巨磁电阻效应称为隧道磁电阻（TMR）效应。04如果三明治结构为铁磁性A/非铁磁性绝缘层/铁磁性B，传导电子在贯穿三明治结构时，会怎样？03隧道结磁电阻（TMR）效应01在金属膜之间夹有数纳米厚的绝缘层，构成三明治结构。在两金属之间加低电压，电子不是越过势垒，而是在能垒中穿过，这便是隧道贯穿现象。绝缘层为非铁磁性时，电子贯穿前后自旋方向不改变。02关于隧道效应的研究一直在进行中，自发现金属超晶格GMR之后，它再一次引起人们的注目。有人采用Fe/Al2O3/Fe磁性三明治结构研究隧道型GMR效应，室温的GMR达到18％。由于这种器件膜层较厚，制作容易，对于实用器件，意义很大。其缺点是该结构的电阻较大。GMR性能的比较材料磁阻效应（％）饱和磁化强度（Oe）磁场敏感度（％/Oe）注释多层膜10～100100～20000.1有磁滞现象自旋阀5～105～501.0热稳定性差颗粒膜6～20800～80000.01有磁滞现象隧道结