片上集成高偏振、多光谱量子阱红外探测器的关键技术与应用突破.docx

一、引言

1.1研究背景与意义

在红外探测领域，量子阱红外探测器（QuantumWellInfraredPhotodetector,QWIP）凭借其独特的优势占据着重要地位。自20世纪80年代美国贝尔实验室的B.F.Levine等人首次报道应用GaAs/AlGaAs量子阱材料制备的红外探测器以来，QWIP便引发了广泛的研究热潮，并在近几十年取得了长足的发展。

QWIP使用带隙比较宽（GaAs为1.43eV）的Ⅲ-Ⅴ族材料，主要有光导型量子阱材料（GaAs/AlGaAs）和光伏型量子阱材料（InAs/InGaSb、InAs/InAsSb）两种类型。与