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探索GaN微纳结构与GaN基MQWs结构：从特性到应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，已然成为推动现代光电器件发展的关键力量，在光电子学领域占据着举足轻重的地位。作为第三代半导体材料的杰出代表，GaN以其宽禁带、高电子迁移率、高饱和漂移速度和良好的热稳定性等一系列优异特性，吸引了全球科研人员的广泛关注，为半导体器件的革新带来了前所未有的机遇。

GaN的宽禁带特性使其在高功率、高频率以及高温环境下的应用中展现出巨大优势。在高功率电子器件领域，如电动汽车的功率逆变器、智能电网的电力转换设备以及5G通信基站的射频功率