低毒无镉量子点发光二极管汉光逐梦光电.pptx

低毒无镉量子点发光二极管的

性能优化;报告提纲;;国际上很多国家和地区都提出在电子产品中禁止使用含镉等重金属元素！;5;无镉量子点LED的研究进展;前期工作;无镉量子点LED中的界面工程;报告提纲;电子传输层存在的问题：

(1)ZnO与发光层之间较大的注入势垒以及与阴极之间较小的注入势垒会使电子在电子传输层/发光层界面处大量积累。

(2)ZnO较大的电子迁移率：电子注入过快，导致电子和空穴注入不平衡。;金属离子的掺杂能够明显改变ZnO纳米粒子的带隙和能带结构，减少电子在电子传输层/发光层界面处的聚集，减小俄歇复合的可能性。;11;12;基于多元铜基硫族纳米晶的LED器件性能优化;XPS分析;Mg离子掺杂和Cl离子钝化能

有效提高器件性能;能级分析(UPS);单载流子器件;不同Cl离子浓度对LED器件性能影响;;EQE:3.4%;器件性能提高的原因;Cu-In-Zn-S纳米晶发光颜色调控;铜含量影响;通过Se含量的调控，红色

无镉LED的峰值EQE从

0.91%增加到了1.4%.;26;通过引入Se离子和调控Cu含量，有效调控红光铜基LED的发光性能，器件的最高EQE可达4.2%。;报告提纲;InP/ZnSQDs购买于苏州

星烁纳米科技有限公司。

;18;Cl@ZnO:Mg作为电子传输层时的器件效率是ZnO作为电子传输层时的2倍。;黄光InP基LED;绿光InP基LED;Cu:NiO/PEDOT:PSS双层的引入能够进一步促进器件中电荷注入平衡，提升器件性能。;28;报告提纲;基于多元铜基硫族纳米晶的白光LED器件;不同退火温度处理;基于多元铜基硫族纳米晶的白光LED器件;基于多元铜基硫族纳米晶的白光LED器件;J.Phys.Chem.Lett.(revision);总结;致谢;Thanksforyourattention!