德州CD4051B-Q1-具有逻辑电平转换功能的汽车类 CMOS 单路 8 通道模拟多路复用TSSOP-16 -深圳恒锐丰科技.pdf

CD4051B-Q1,CD4053B-Q1

ZHCSJL6C–AUGUST1998–REVISEDMARCH2023

CD405xB-Q1具有逻辑电平转换功能的汽车类CMOS单路8通道模拟多路复用

器或多路信号分离器

1特性3说明

•符合面向汽车应用的AEC-Q100标准：CD405xB-Q1模拟多路复用器和多路信号分离器是数

–温度等级1：-45°C至+125°C，TA字控制的模拟开关，具有低接通阻抗和极低的关断漏电

•各种数字和模拟信号电平：流。这些多路复用器电路在整个VDD–VSS和VDD–

–数字：3V至20VVEE电源电压范围内，消耗的静态功率极低，而不受控

–模拟：≤20V制信号的逻辑状态影响。

P-P

•在VDD–VEE=18V时的15VP-P信号输入范围封装信息(1)

内，具有125Ω（典型值）的低导通电阻器件型号封装封装尺寸（标称值）

•在VDD–VEE=18V时，通道漏电流为D（SOIC，16）9.90mm×3.91mm

±100pA（典型值），具有高关断电阻CD405xB-Q1PW（TSSOP，

•适用于3V至20V数字寻址信号（VDD–VSS=3V16）5.00mm×4.40mm

至20V）的逻辑电平转换功能，可将模拟信号切换

至与20VP-P(VDD–VEE=20V)相匹配的开关特(1)如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

性，VDD–VEE=15V时，rON=5Ω（典型值），

在所有数字控制输入和电源条件下，具有极低的静

INHCBA

态功率损耗，在Ch0INH

VDD–VSS=VDD–VEE=10V时，功率损耗为Ch1Aax

0.2µW（典型值）Ch2axORay

Aay

•二进制地址片上解码