建筑物防雷设计规范(新).pptVIP

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防雷区（LPZ）LPZOA区：本区内的各物体都可能遭到直接雷击和导走全部雷电流；本区内的电磁场强度没有衰减（直击雷非防护区）LPZOB区：本区内的各物体不可能遭到大于所选滚球半径对应的雷电流直接雷击；本区内的电磁场强度没有衰减（直击雷防护区）LPZ1区：本区内的各物体不可能遭到直接雷击，流经各导体的电流比LPZOB区更小；本区内的电磁场可能衰减，这取决于屏蔽措施（第一屏蔽防护区）LPZn+1：后续屏蔽防护区，进一步减小流入电流和电磁场强度的防护区1确定等电位连接的位置2确定等电位连接导体的最小截面3确定SPD的安装位置4确定SPD的选型计算H1或H2，决定是否增加屏蔽措施7防LEMP

防雷区（LPZ）的作用7防LEMP

屏蔽伴随雷击产生的磁场在屏蔽空间内的磁场大空间屏蔽Sa附近的雷击点040301HO=io/2πSa （A/m）首次雷击（25kHz）：1000/300/100A/m1GS≈79.6A/m后续雷击（1MHz）：100/30/10A/m027防LEMP

屏蔽远处落雷，根据闪电定位系统确定1闪电击在建筑物附近的最坏（磁场强度最大）的情况，由Sa的计算确定2Sa值的确定（）图7.3.2-2取决于滚球半径和建筑物尺寸的距离saI=200、150、100kAR=313、260、200mR=10I0.65Sa=H（2R-H）+L/2当H＞R时Sa=R+L/2当H≤R时7防LEMP

屏蔽H1=H0/10SF/20（A/m）材料SF（dB）25kHz(首次雷击)1MHz(后续雷击)铜/铝20·log(8.5/w)20·log(8.5/w)钢20·log[(8.5/w)/1+18·10-6/r2]20·log(8.5/w)式中：r:导体的半径(m),w:网格宽(m)μr=200(钢的磁导系数)雷击在建筑物上，LPZ1中Vs的H1H1=kH·io·W/dW·dr式中：dr—点距顶的距离dw—点距壁的距离kH—形状系数，取0.01W—屏蔽的网格宽7防LEMP

屏蔽建筑物屏蔽入户金属管线的屏蔽设备的屏蔽7防LEMP

屏蔽7防LEMP

等电位连接GasZTankPipeCathodicallyProtectedFoundationEarthElectrodeLightningProtectionEquipotentialBondingEBBExternalLightningProtectionPSCZWaterGB50057中、规定共用接地装置的接地电阻应按50Hz电气装置以人身安全所要求的阻值确定。7.3.4电子系统的所有外露导电物应与建01筑物的等电位连接网络做功能性等电位连接。02由于按照本标准规定实现的等电位连接网络均03有通大地的连接，所有电子系统不应设独立的04接地装置。向电子系统供电的配电箱的保护地05线（PE线）应就近与建筑物的等电位连接网络06做等电位连接。07电子系统不应设独立的接地装置附录D滚球法（1）附录D滚球法（2）附录D滚球法（3）附录D滚球法（4）附录D滚球法（5）ABO建筑物hrhr图4单支避雷针的保护范围（h＞hr）hx—被保护物的高度（m）；ro—避雷针在地面上的保护半径（m）；ro=h(2hr-h)hr—滚球半径（m）h—避雷针高度（条件为h≤hr）（m）；rx=h(2hr-h)-hx(2hr-hx)式中rx—避雷针在hx高度XX＇平面上的保护半径（m）；附录D滚球法（6）

单支避雷针4.5.6防接触电压1人体在建筑物外停留时接近引下线的可能性是小的。2自然引下线由建筑物金属构架在电气上是贯通的若干根柱子或由建筑物钢筋互相连接在电气上是贯通的若干根柱子组成。3引下线3m范围内土壤地表层的电阻率不小于5kΩ.m。4外露的引下线，用耐1.2/50μs冲击电压100kV的绝缘层隔离，例如用至少3mm厚的交联聚乙烯层。5用护栏和（或）警告牌使接触引下线的可能性降至最低限度。 6新增内容（1）新增内容（2