《IGBT基本原理》课件.pptVIP

IGBT基本原理本课程将深入探讨IGBT的基本原理，涵盖结构、工作原理、特性参数、应用电路、选型、保护、散热设计等关键方面。

课程大纲IGBT概述介绍IGBT的概念、发展历史、基本结构和工作原理。IGBT特性参数详细分析IGBT的主要特性参数，包括额定电压、电流、开关特性、导通压降、开关损耗、温度特性等。IGBT应用电路探讨IGBT在各种应用电路中的应用，包括基本开关电路、半桥电路、全桥电路、三相逆变器等。IGBT设计与保护涵盖IGBT选型、并联运行、散热设计、保护技术以及常见故障分析。

什么是IGBTIGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的高电流能力，具有高效率、快速开关、高功率密度等特点，广泛应用于电力电子领域。

IGBT的发展历史11950年代BJT（双极型晶体管）问世，成为早期电力电子器件的主要选择。21970年代MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）出现，但无法处理大电流。31980年代IGBT诞生，结合BJT和MOSFET的优势，为电力电子技术带来革命性的发展。41990年代至今IGBT技术不断改进，性能不断提升，应用范围不断扩大。

IGBT的基本结构栅极层由金属氧化物和半导体层构成，负责控制IGBT的导通和关断。漂移层用于控制IGBT的电流大小，连接到集电极。发射极层连接到基极，负责注入电流。集电极层连接到电源正极，负责输出电流。

IGBT的工作原理概述IGBT的工作原理基于MOSFET和BJT的组合。当栅极电压达到一定阈值时，MOSFET导通，控制电流从发射极流向集电极，从而使IGBT导通。当栅极电压降低时，MOSFET关断，IGBT停止导通。

IGBT的等效电路IGBT可以等效为一个理想开关、一个导通电阻和一个寄生电容的组合。这个等效电路可以用来分析IGBT的动态特性和损耗。

IGBT的符号表示IGBT的符号通常使用一个矩形表示，并标出三个引脚：栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）。符号的形状和方向可能会有所不同，但基本结构是一致的。

IGBT的主要特性参数额定电压和电流IGBT的最大工作电压和电流。开关特性IGBT的开关速度，包括导通时间、关断时间。导通压降IGBT导通时，集电极和发射极之间的电压降。开关损耗IGBT开关过程中产生的能量损失。温度特性IGBT的性能随温度的变化情况。

额定电压和电流额定电压是指IGBT能够承受的最大工作电压，超过此电压可能会导致IGBT损坏。额定电流是指IGBT能够持续通过的最大电流，超过此电流可能会导致IGBT过热。

开关特性开关特性描述了IGBT导通和关断的速度，通常用导通时间和关断时间来表示。导通时间是指IGBT从关断状态到导通状态所需的时间，关断时间是指IGBT从导通状态到关断状态所需的时间。开关速度越快，IGBT的效率越高。

导通压降导通压降是指IGBT导通时，集电极和发射极之间的电压降。导通压降越低，IGBT的效率越高。导通压降的大小与IGBT的电流大小和温度有关。

开关损耗开关损耗是指IGBT开关过程中产生的能量损失。开关损耗主要包括导通损耗和关断损耗。导通损耗是指IGBT导通时产生的能量损失，关断损耗是指IGBT关断时产生的能量损失。开关损耗的大小与IGBT的开关速度和电流大小有关。

温度特性温度特性是指IGBT的性能随温度的变化情况。随着温度的升高，IGBT的导通压降、开关损耗都会增加，开关速度也会降低。因此，在设计IGBT应用电路时，需要考虑温度对IGBT性能的影响，并采取相应的散热措施。

IGBT的工作模式IGBT的工作模式可以分为导通状态、关断状态、开通过程和关断过程。每个工作模式都有其独特的特性和分析方法。

导通状态分析当栅极电压达到一定阈值时，IGBT导通，电流从发射极流向集电极。在导通状态下，IGBT的集电极电压会略微降低，相当于一个导通电阻。同时，由于寄生电容的存在，IGBT会表现出一定的动态特性。

关断状态分析当栅极电压降低时，IGBT关断，电流停止流动。在关断状态下，IGBT的集电极电压等于电源电压。由于寄生电容的存在，IGBT可能会出现尾电流现象，需要一定时间才能完全关断。

开通过程分析开通过程是指IGBT从关断状态到导通状态的转变过程。在开通过程中，栅极电压逐渐上升，IGBT的电流逐渐增加。开通过程的快慢取决于IGBT的驱动电路和负载的大小。

关断过程分析关断过程是指IGBT从导通状态到关断状态的转变过程。在关断过程中，栅极电压逐渐下降，IGBT的电流逐渐降低。关断过程的快慢取决于IGBT的驱动电路和负载的大小。由于寄生电容的存在，关断过程可能会出现尾电流现象，需要一定时间才能完全关断。

寄生效应由于IGBT内部结构的复杂性，IGBT会产生一些寄生效应，这些效应会影响IGBT的