中微公司首次覆盖：国产刻蚀设备领军者，内生外延打通多元产品布局.docx

目录

国产半导体设备领军企业，营收规模实现高增 6

深耕微观加工关键高端设备，国产替代引领者 6

营收规模持续高增，以研促产增长可期 8

半导体发展趋势向好+自主可控提速，国产设备迎发展机遇 11

周期向上+AI创新驱动，半导体设备开支保持增长 11

制程升级+存储堆叠发展，催生刻蚀和薄膜设备需求 13

海外对华出口管制升级，半导体设备自主可控或提速 20

内生外延打通多元产品布局，夯实企业竞争力 24

内生外延完善业务布局，提升集成电路设备覆盖领域 24

刻蚀设备国内领先，关键工艺持续突破 25

加码布局薄膜沉积设备，新品开发顺利推进 30

MOCVD设备国际领先厂商，面向前沿领域开发新品 31

盈利预测和投资建议 34

风险提示 36

图

图1：公司成立至今主要产品发展成果显著 6

图2：公司股权结构（截至2024年三季度） 7

图3：近年来公司营收规模和增速（亿元、%） 9

图4：刻蚀设备和MOCVD设备收入情况 9

图5：近年来公司归母净利润和增速（亿元、%） 9

图6：公司毛利率和净利率情况 9

图7：近年来公司费用率变动情况（%） 10

图8：公司研发人员持续提升 10

图9：公司存货情况（亿元） 10

图10：公司合同负债情况（亿元） 10

图11：全球半导体销售额回暖（十亿美元、%） 11

图12：中国半导体销售额回暖（十亿美元、%） 11

图13：全球半导体设备市场规模预测（十亿美金） 12

图14：全球300mm晶圆厂设备支出保持增长趋势 12

图15：全球半导体设备销售额及增速（十亿美元） 13

图16：中国大陆半导体设备销售额占比提升 13

图17：光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺.14

图18：晶圆制造设备价值量占比 14

图19：干法刻蚀和湿法刻蚀的区别 14

图20：干法刻蚀工艺占据市场主流，市场份额占比约90%15

图21：2029年全球刻蚀设备市场规模预估达343.2亿美元

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图22：薄膜沉积设备技术分类 16

图23：半导体薄膜沉积设备占比变化 17

图24：半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况 17

图25：2017-2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模（亿美元） 17

图26：2013-2023年刻蚀和薄膜设备年均增速高于其他设备

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图27：不同制程下的晶体管结构 19

图28：10纳米多重模板工艺原理 19

图29：2DNAND和3DNAND示意图 19

图30：不同堆叠层刻蚀设备用量占比 19

图31：国内半导体设备国产化率整体提升（亿元） 20

图32：三维发展战略，内生外延实现可持续发展 24

图33：公司现覆盖约33%集成电路设备 25

图34：中微及其合作伙伴5-10年后覆盖50%-60%高端设备产品 25

图35：公司已开发共15种刻蚀设备三代机型 26

图36：公司产品端关键性能已达到国际先进水平 26

图37：CCP刻蚀设备付运设备数量（台） 26

图38：ICP单台机PrimoNanova系列产品付运设备数量

（台） 26

图39：中微公司CCP刻蚀产品系列和发展路线 27

图40：一体化大马士革刻蚀工艺 27

图41：SD-RIE:实时可变电极间距扩大金属掩膜大马士革刻蚀工艺窗口 27

图42：公司开发的极高深比刻蚀机 28

图43：中微公司ICP刻蚀产品系列和发展路线 29

图44：TSV工艺在先进封装中的应用 29

图45：TSV在2.5D封装与3D封装中的应用 29

图46：Mini和MicroLED与传统显示技术对比 31

图47：MicroLED晶片产值预估（百万美元） 31

图48：SiC和GaN下游应用范围 32

图49：SiC和GaN是功率半导体行业的关键领域 32

图50：中微公司MOCVD产品系列及发展路线 33

图51：MOCVD设备PRISMOUniMax 33

图52：MOCVD设备PRISMOPD5 33

表

表1：目前公司主要产品类型 7

表2：公司现任部分核心技术人员