电子基础知识(二极管和晶闸管).pptVIP

课题一电子根底知识;2．本征半导体：不加杂质的纯洁半导体晶体。如本征硅或本征锗。;〔2〕N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素〔5价〕所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。;图1ＰＮ结;②外加反向电压〔也叫反向偏置〕

外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。;二晶体二极管;1外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图2〔a〕所示；;3．晶体二极管的单向导电性：;[例1]图3所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？;4二极管的伏安特性;5．特点：;〔2〕反向特性;〔1〕最大整流电流IFM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。

〔2〕最高反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压。

〔3〕最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，那么管子的单向导电性越好。

〔4〕最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;8二极管的简单测试;图5万用表检测二极管;9二极管的分类;三、晶体三极管;〔2〕.三极管的结构;箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。

文字符号：V;三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。;4、晶体三极管的输出特性曲线;在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。;5、三极管的主要参数;判别硅管和锗管的测试电路;将万用表设置在或挡，用黑表笔和任一管脚相接（假设它是基极b），红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图11（a）所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图11（b）所示。;首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测β值的方法判断c、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极〔另一个假定为发射极〕接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为发射极e，如图12所示。测PNP管时，只要把图12电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。;四、单管根本放大电路;共发射极基本放大电路;(1)ui直接加在三极管V的基极和发射极

之间，引起基极电流iB作相应的变化。

(2)通过V的电流放大作用，V的集电极

电流iC也将变

(3)iC的变化引起V的集电极和发射极之间的

电压uCE变化。

(4)uCE中的交流分量uce经过C2畅通地传送给负载RL，成为输出交流电压uo,，实现了电压放大作用。;静态是指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q〔主要指IBQ、ICQ和UCEQ〕。静态分析主要是确定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。;共发射极基本放大电路;交流通路：〔ui单独作用下的电路〕。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零〔相当于短路〕，直流电源UCC去掉〔短接〕。;从图解分析过程，可得出如下几个重要结论：

〔1〕放大器中的各个量uBE，iB，iC和uCE都由直流分量和交流分量两局部组成。

〔2〕由于C2的隔直作用，uCE中的直流分量UCEQ被隔开，放大器的输出电压uo等于uCE中的交流分量uce，且与输入电压ui反相。〔放大器具有倒相作用〕

〔3〕放大器的电压放大倍数可由uo与ui的幅值之比或有效值之比求出。负载电阻RL越小，交流负载电阻RL也越小，交流负载线就越陡，使Uom减小，电压放大倍数下降。

〔4〕静态工作点Q设置得不适宜，会对放大电路的性能造成影响。假设Q点偏高，当ib按正弦规律变化时，Q进入饱和区，造成ic和uce的波形与ib〔或ui〕的波形不一致，输出电压uo〔即uce〕的负半周出现平顶畸变，称为饱和失真；假设Q点偏低，那么Q进入截止区，输出电压uo的正半周出现平顶畸变，称为截止失真。饱和失真和截止失真统称为非线性失真。;整流：把交流电变成直流电的过程。;V：整流二极管，把交流电变成脉动直流电；

T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压值v2。;〔2〕．负载和整流二极管上的电压和电流;V1、V2为性能相同的整流二极管；T为电源变压器，作用是产生大小