ZnO_Li忆阻器交叉阵列：制备工艺、特性分析与应用前景探究.docx

ZnO:Li忆阻器交叉阵列：制备工艺、特性分析与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，数据量呈爆炸式增长，对存储和计算技术提出了前所未有的挑战。传统的存储和计算技术基于冯?诺依曼架构，存在着“存储墙”和“功耗墙”等问题，限制了其进一步发展。忆阻器作为一种新型的电子器件，自2008年惠普公司成功研制出首个真实可用的忆阻器以来，因其独特的物理特性，在存储和计算领域展现出巨大的潜力，成为了研究的热点。

忆阻器，全称为记忆电阻器，是一种有记忆功能的非线性电阻，被认为是电阻、电容、电感之外的第四种电路基本元件。其电阻值取决于流过电流或施加电压的历史，具有高速、低功