2025年反应腔室及半导体加工设备 .pdfVIP

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CNA

202520254

(43)申请公布日2025.06.23

(21)申请号CN202520252025.X

(22)申请日2018.12.13

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

(72)发明人魏景峰傅新宇荣延栋

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人彭瑞欣

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

反应腔室及半导体加工设备

(57)摘要

本发明提供一种反应腔室及半导体

加工设备，包括第一环体、第二环体、多

个对位组件和承载基片的基座，第一环体

和第二环体在基座的升降方向上相对设

置，且基座在上升或下降的过程中使第一

环体和第二环体相互靠近或远离；多个对

位组件沿第一环体的周向间隔设置在第一

环体底部，或沿第二环体的周向间隔设置

先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹

在第二环体顶部；多个对位组件用于在基

座自传片位置上升至工艺位置的过程中，

通过第一环体和第二环体的挤压，朝靠近

第一环体或第二环体的圆心方向发生形

变，以将基片限定在与基座的承载面对中

的位置。本发明提供的反应腔室及半导体

加工设备能够避免基片在工艺过程中相对

于基座发生移动，从而提高基片的边缘排

除区域的均匀性，提高产品的良率。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2023-02-14授权发明专利权授予

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

权利要求说明书

1.一种反应腔室,包括用于承载基片的基座,其特征在于,还包括第一环体、第二环体

和多个对位组件,其中,所述第一环体和所述第二环体在基座的升降方向上相对设置,

且所述基座在上升或下降的过程中使所述第一环体和所述第二环体相互靠近或远离;

多个所述对位组件沿所述第一环体的周向间隔设置在所述第一环体的底部,或沿所

述第二环体的周向间隔设置在所述第二环体的顶部;

多个所述对位组件用于在所述基座自所述传片位置上升至工艺位置的过程中,通过

所述第一环体和所述第二环体的挤压,朝靠近所述第一环体或所述第二环体的圆心

方向发生形变,以将所述基片限定在与所述基座的承载面对中的位置;并在所述基座

下降的过程中朝远离所述第一环体或所述第二环体的圆心方向变形。

2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,每个所述对位组件包括对位板和至

少两个连接杆;其中,

每个所述连接杆的第一端与所述第一环体活动连接,第二端与所述对位