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基于动态贝叶斯网络的IGBT健康状态评估模型研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电力电子系统中,绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)作为核心功率器件,发挥着不可替代的关键作用。IGBT是由双极型三极管(BipolarJunctionTransistor,BJT)和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,它融合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率以及BJT的高电流密度、低导通压降等优点,具备卓越的电压、电流处理能力以及快速的开关速度,
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