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考试科目：832微电子器件
一、填空題（共45分，每空1.5分）
1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流重要与载流子浓度梯度有关，而（漂移）电流重要与载流子浓度有关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN結反偏時候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度减少有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一种区的長度远不不小于该区的（少子扩散長度）。在其他条件相似的状况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称為二次击穿，这种击穿一般
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