化学气相沉积法构筑硫化镓纳米材料及其性能的深度剖析.docx

化学气相沉积法构筑硫化镓纳米材料及其性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理化学性质，成为了众多领域研究的焦点。硫化镓（Ga_2S_3）作为一种重要的半导体纳米材料，因其在光电器件、催化、传感器等领域展现出的巨大应用潜力，受到了科研人员的广泛关注。

硫化镓属于Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体，具有直接带隙，其带隙宽度约为2.4-2.6eV，这一特性使其在可见光到近红外光范围内表现出良好的光学响应，在光电器件如发光二极管（LED）、光电探测器等方面具有广阔的应用前景。与传统的硅基半导体材料相比，硫化镓纳米材料具有更高的电子迁移率和光