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新员工培训目录
一、硅片检验标准及使用工具、仪器及本卷须知
二、手工检验流程
三、检验数据及工具交接
四、ATM自动分选机操作流程及本卷须知
五、ATM自动分选机校准
六、ATM自动分选机根本异常处理;一、硅片检验标准及使用工具、仪器;2.硅片检验分为三大类;1-1边长;1-2对角线;检验工具--游标卡尺;1-3厚度〔TV、TTV〕;TTV:是指一片硅片厚度最厚和最薄的误差。
合格:〔来料厚度≥200um〕≤15%×硅片标称厚度
〔来料厚度<200um〕≤25um
让步:〔来料厚度≥200um〕≤20%×硅片标称厚度
〔来料厚度<200um〕≤30um
不合格:〔来料厚度≥200um〕>20%×硅片标称厚度
〔来料厚度<200um〕>30um;检验工具;2-1少子寿命
1.少子寿命:对p型半导体材料那么相反,产生非平衡载流子的外界作用撤除以后,它们逐渐衰减以致消失,最后载流子浓度恢复到平衡少数载流子的寿命。〔lifetime〕
合格:裸片≥1us〔微秒〕
钝化后≥10us钝化:将硅片抛光后参加碘酒测试。
不合格:裸片<1us〔微秒〕
钝化后<10us
测量仪器ATM自动分选机。
注:手工检验时不进行测量。
2-2导电类型
导电类型:P型和N型;
目前我们执行的是P型工艺,N型为不合格;
测量仪器ATM机器。;2-3电阻率
电阻率:
用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率ρ单位为欧姆·厘米〔ohm*cm〕
〔单晶〕合格:0.5-3
让步:3-6
不合格:>6或<0.5
〔多晶〕合格:0.5-3
无让步
不合格:>3或<0.5
测量仪器:四探针测试仪或ATM自动分选机
注:测试硅片中心点。;3-1倒角偏差/外形片
1.倒角偏差:
硅片倒角有规那么的同时凹进或凸出,以凹进最大值计算。
2.外形片:
硅片倒角不规那么的凹进或凸出,以最大值计算。
注:倒角偏差和外形片只针对单晶片,多晶片是直倒角,倒角不做要求。
3.合格:≤0.5mm
让步:≤0.6mm
不合格:>0.6mm
3-2梯形片/菱形片;同心度模板
作用:测量倒角偏差/外形片。
注:测量时模板的标准线对准硅片的四边,观察四个倒角有无外凸、内凹及偏移现象。;;内??;3-3弯曲片/翘曲片;3-4台阶片/线痕片;检验标准:合格:≤15um;让步:≤20um〔180um厚度及以下无让步〕;不合格:>20um;检验工具:面粗糙度计、水平测试台;3-5崩边/硅晶脱落/缺口;2.硅晶脱落
合格:无硅晶脱落;
让步:面积≤0.5mm*0.5mm;每片片子个数≤2个且未穿透;
不合格:面积>0.5mm*0.5mm;每片片子个数>2个;穿透。;3.缺口
合格:无缺口;
让步:长≤1mm深≤0.3,每片片子缺口个数≤2个;
不合格:长>1mm深>0.3,每片片子缺口个数>2个。
注:不允许有V型缺口。
4.以上均为目测。;3-6微晶/分布晶/雪花晶;3-7其它不良;孪晶
不合格;裂纹
不合格;硅片检验要求;二、手工检验流程;4.尺寸类检验。
①测量边长/对角线〔见图4、5〕,每100片抽测一片,并在《硅片检验记录表》记录其最小值与最大值。
注意:假设整叠〔100片〕硅片不整齐,那么需加严检测。
使用游标卡尺需先归零,卡脚平行测量。
测量时,边长需测量四次〔同侧上下各一次〕。
②测量厚度〔见图6〕,每100片抽测一片,记录其最小值与最大值;
注意:使用五点测试法,硅片边角四点〔距离硅片边缘3mm处测量〕及中心点。;5.电性能类检验。
测量电阻率,每100片抽测一片,并记录其测试值。
注意:假设电阻率超标,那么需均匀加测三片。
6.每盒检完,将检验出的不良品记录在《硅片检验记录表》外观栏类,封盒并贴外观描述标签。
注意:确保外观描述上的少片数量与硅片检验记录表上不良工程及检验出的不良实物数量一致。;7.每箱检完后填写IQC检验结果单,确保与箱内数量及《硅片检验记录表》中的数据一致;经工序长确认无误后,封箱,将IQC检验结果单贴在封口处,并在右上角贴上合格标签。
注意:确保所填数量应与箱内实物数量及《硅片检验记录表》中的数据一致;;8.一批检验结束,收集不良品、拍数并填写各类报表〔汇总<不良品明细表>、<IQC硅片检验质量统计表>、<送检单>、<不良
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