IMD4 工艺和顶层金属 AL 工艺.pptx

第三十一讲：纳米工艺制程技术

内容第四章4.5：纳米CMOS后段工艺制程技术流程4.5.9：IMD4工艺4.5.10：顶层金属AL工艺

IMD4工艺顶层金属AL工艺纳米后段工艺制程整合

IMD4工艺纳米后段工艺制程整合

IMD4工艺：是形成TMV(TopMetalVIA)的介质隔离材料，同时IMD4会隔离第三层金属和顶层AL金属。IMD4的材料也是USG和SiON材料。淀积SiCN刻蚀停止层。利用PECVD淀积一层厚度约为600?SiCN，SiCN作为刻蚀停止层和M1的覆盖层，SiCN可以防止Cu扩散。这样Ta/TaN和SiCN就形成一个容器包裹着Cu，防止Cu向外扩散。IMD4工艺

淀积USG。通过PECVD淀积一层厚度约为3000?USG。淀积的方式是利用TEOS在400℃发生分解反应形成二氧化硅淀积层。淀积SiON。利用PECVD淀积一层厚度约3000?SiON层，利用硅烷（SiH4）、一氧化二氮（N2O）和He在400℃的温度下发生化学反应形成SiON淀积。IMD4工艺

顶层金属AL工艺纳米后段工艺制程整合

顶层金属AL工艺：是指形成顶层金属AL互连线。因为Cu很容易在空气中氧化，形成疏松的氧化铜，而且不会形成保护层防止铜进一步氧化，所以必须利用AL金属作为顶层金属。TMV光刻处理。通过微影技术将TMV掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成TMV光刻胶图案，TMV区域上保留光刻胶。M3作为TMV光刻曝光对准。顶层金属AL工艺

量测TMV光刻的关键尺寸。量测TMV的套刻。收集曝光之后的TMV光刻与M3的套刻数据。检查显影后曝光的图形。顶层金属AL工艺

TMV干法刻蚀。干法刻蚀利用CF4和CHF3等混合气体产生等离子电浆刻蚀USG和SiON层，SiCN作为停止层。去除ESLSiCN层。利用湿法刻蚀去除SiCN层。顶层金属AL工艺

去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。Ar清洁。PVD前用Ar离子溅射清洁表面。淀积Ti/TiN层。利用PVD的方式淀积300?Ti和500?TiN。通入气体Ar轰击Ti靶材，淀积Ti薄膜。通入气体Ar和N2轰击Ti靶材，淀积TiN薄膜。Ti作为粘接层，TiN是Al的辅助层，TiN中的Ti会与Al反应生成TiAl3，TiAl3是非常稳定的物质，它可以有效的抵御电迁移现象。顶层金属AL工艺

淀积AlCu金属层。通过PVD的方式利用Ar离子轰击铝靶材淀积含0.5%Cu的AlCu金属层，厚度为8500?作为顶层金属互连线。顶层金属需要作为电源走线，需要比较厚的金属从而得到较低的电阻，另外它也需要很大的线宽最终应许通过很大的电流。淀积TiN层。通过PVD利用Ar离子轰击Ti靶材，Ti与N2反应生成TiN，淀积350?TiN。TiN隔离层可以防止Al和氧化硅之间相互扩散,TiN除具有防止电迁移的作用外，还作为钝化层窗口蚀刻的停止层和TM光刻的防反射层。顶层金属AL工艺

TM顶层金属光刻处理。通过微影技术将TM掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成TM光刻胶图案，TM区域上保留光刻胶。TMV作为TM光刻曝光对准。顶层金属AL工艺

量测TM的套刻。收集曝光之后的TM光刻与TMV的套刻数据。检查显影后曝光的图形。顶层金属AL工艺

TM干法刻蚀。利用干法刻蚀去除没有被光刻胶覆盖的金属，保留有光刻胶区域的金属形成金属互连线。刻蚀的气体是Cl2。刻蚀最终停在氧化物上，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物。顶层金属AL工艺

去除光刻胶。干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，再通过湿法刻蚀利用有机溶剂去除金属刻蚀残留的氯离子，因为氯离子会与空气接触形成HCl腐蚀金属。量测TM刻蚀关键尺寸。顶层金属AL工艺

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