JXP60N02G 20V N沟道增强型MOSFET TO252-2 深圳恒锐丰科技.pdf

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2025-03-20 发布于广东
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JXP60N02G 20V N沟道增强型MOSFET TO252-2 深圳恒锐丰科技.pdf

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JXP60N02G

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP60N02Gusesadvancedpower

trenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),

lowgatechargeandhighdensitycellDesignfor

ultralowon-resistance.Thisdeviceissuitable

foruseasinPWMapplications.

GENERALFEATURES

I60A,V20V

DDS

RDS(ON)(Typ.)5.5mΩ@VGS4.5V

RDS(ON)(Typ.)7.5mΩ@VGS2.5V

PINASSIGNMENT

LowGateCharge

AdvancedHighCellDensityTrenchTO-252-2L

Technology(TopView)

100%EASGuaranteed

APPLICATION

PowerManagementSwitches

DC/DCConverters

PACKAGE

TO-252-2LNote：XXYY—DateCode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP60N02G-55°Cto+150°CTO-252-2L60N02/XXYY2500

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(T25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-sourcevoltageVDS20V

Gate-sourcevoltageVGS±10V

T25°C60

Continuousdraincurrent(T150°C)aI

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