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AP80N06NF
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80N06NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=60VI80A
DSD
RDS(ON)6.0mΩ@VGS=10V（Type：4.5mΩ）
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP80N06NFPDN5*6-8LAP80N06NFXXXYYYY5000PCS
o
AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)
j
SymbolParameterValueUnit
VDSDrainsourcevoltage60V
VGSGatesourcevoltage±20V
I@T=25℃Continuousdraincurrent1)80A
DC
I@T=100℃Continuousdraincurrent1)45A
DC
IDMPulseddraincurrent2)210A
IASDiodeforwardcurrent
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