宏盛微半导体AP300N05TLG5.pdf

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AP300N05TLG5

45VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP300N05TLG5usesadvancedAPM-SGTVtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=45VI=300A

DSD

RDS(ON)1.3mΩ@VGS=10V（Type：1.0mΩ）

Application

BMS

BLDC

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP300N05TLG5TOLLA-8LAP300N05TLG5XXXYYYY2000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage45V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1300A

ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1210A

IDMPulsedDrainCurrent900A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy510mJ

IASAvalancheCurrent70A

PD@TC=25℃PowerDissipation230

该用户很懒，什么也没介绍

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