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人
IGBTDiscrete
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Ic160人A
VcE(GSADIc=160A1.SS
G
5下
CircuitApplications
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C.Uninterruptiblepowersupplies
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Features
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Gsoftswitching
,Maximumjunctiontemperature175C
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MaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Collector-EmitterBreakdownVoltageVce650V
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区Piu714W
S-M525DW
Rev.1.0,1-Sep-24
人
OperatingJunctionTemperature再-40...+175
StorageTemperatureTs-35...+150
SolderingTemperature,wavesoldering1.6mml260
ParameterSymbolConditionsMinTyp.Max,Unit
Static
Collector-Emitter
BreakdownVoltageBYcss|Vce=0V,Ic=250hA650,
GateThresholdVoltage|Vcatm|Vae=Vce,Ic=lmA3.2
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