原创力文档- 1、本文档共35页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
當單片機外接晶片較多，超出匯流排負載能力，必須加匯流排驅動器。單向驅動器74LS244用於地址匯流排驅動雙向驅動器74LS245用於數據匯流排驅動3.微型機匯流排擴展驅動5.2I/O介面擴展電路設計
一.8255可編程並行I/O介面擴展
二.8155可編程I/O介面擴展
三.串行口擴展I/O介面一.8255可編程並行I/O介面擴展
利用TTL晶片、COMS鎖存器、三態門等介面晶片把P0接口擴展，常選用74LS273、74LS373、74LS244等晶片。1、簡單I/O介面擴展2、8255可編程並行I/O介面擴展與電路設計（1）8255內部結構及引腳功能（2）、介面線PA0～PA7、PB0～PB7、PC0～PC7共24條端線。3個口皆為鎖存/緩衝寄存器，A口、B口有鎖存功能，C口無鎖存功能。A、B、C3口的工作方式由程式設置。（3）、數據線8255是8位晶片，有8位數據線D0～D7。數據線接於8051的P0介面，（3）.控制線控制線控制8255的讀RD：、寫WR、複位RESET及片選CS等。（4）．地址線A1A0選擇口00A口01B口10C口11控制口單片機應用系統的擴展5.1單片機擴展的基本
一、單片機最小系統使單片機能運行的最少器件構成的系統，就是最小系統。無ROM晶片：8031必須擴展ROM，複位、晶振電路有ROM晶片：89c51等，不必擴展ROM，只要有複位、晶振電路二、擴展使用的三匯流排地址匯流排：P0－低8位P2－高8位數據匯流排：P0控制匯流排：RD、WR、ALE、PSEN(讀、寫、地址鎖存允許、外程式記憶體讀選通）5.2記憶體的擴展
一、隨機讀寫記憶體RAM的擴展數據記憶體一般採用RAM晶片，這種記憶體在電源關斷後，存儲的數據將全部丟失。RAM器件有兩大類：動態RAM（DRAM），一般容量較大，易受干擾，使用略複雜。靜態RAM（SRAM），在工業現場常使用ＳＲＡＭ。1.SRAM的引腳6264邏輯圖6264引腳圖型號：6264前兩位數62,表示SRAM後兩位64÷8=8k位元組容量62128有128÷8=16k位元組容量62256有256÷8=32k位元組容量2.RAM記憶體的連接DB0～nAB0～ND0～nA0～NABN+xCSR/WR/W微型機記憶體記憶體與微型機三匯流排的連接：1)數據線D0～n 連接數據匯流排DB0～n2)地址線A0～N 連接地址匯流排低位AB0～N。3)片選線CS 連接地址匯流排高位ABN+x。4)讀寫線OE、WE(R/W)連接讀寫控制線RD、WR。3.地址鎖存器的原理地址鎖存器晶片74LS373與74LS573只是引腳佈置的不同。74LS273的11腳G邏輯與以上相反。單片機複用匯流排結構,數據與地址分時共用一組匯流排。ALE地址鎖存地址鎖存地址輸出數據有效地址輸出數據有效AD0～n數據採樣數據採樣R/W單片機AD0～7ALER/WD0～7A0～7R/W記憶體DiQiG地址鎖存器AD8～nA8～n4.62128與MCS51的連接二、只讀記憶體ROM的擴展工作時，ROM中的資訊只能讀出，要用特殊方式寫入(固化資訊)，失電後可保持資訊不丟失。1.掩膜ROM：不可改寫ROM由生產晶片的廠家固化資訊。在最後一道工序用掩膜工藝寫入資訊，用戶只可讀。2.PROM：可編程ROM用戶可進行一次編程。存儲單元電路由熔絲相連，當加入寫脈衝，某些存儲單元熔絲熔斷，資訊永久寫入，不可再次改寫。3.EPROM：可光擦除PROM用戶可以多次編程。編程加寫脈衝後，某些存儲單元的PN結表面形成浮動柵，阻擋通路，實現資訊寫入。用紫外線照射可驅散浮動柵，原有資訊全部擦除，便可再次改寫。
文档评论（0）