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1+X集成电路理论练习题库+参考答案
一、单选题(共39题,每题1分,共39分)
1.平移式分选机设备测试环节的流程是:()。
A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片
B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片
C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片
D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果
正确答案:B
答案解析:平移式分选机设备测试环节的流程是:入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。
2.从安全上看,四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为:()。
A、硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法<三氯化硅氢还原法
B、四氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法
C、三氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法
D、硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法<四氯化硅氢还原法
正确答案:D
答案解析:从安全上看,硅烷最危险,最容易爆炸,三氯氢硅次之,也容易爆炸,四氯化硅最安全,根本不会发生爆炸。
3.减薄工艺的正确流程是()。
A、清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗
B、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗
C、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗
D、清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗
正确答案:D
4.管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的封口边()处贴上“合格”标签。
A、左侧
B、右侧
C、中央
D、任意位置
正确答案:C
答案解析:管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的封口边中央处贴上“合格”标签。
5.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶硅的()参数。
A、电阻率
B、直径
C、少数载流子寿命
D、导电类型
正确答案:D
答案解析:热探针法用来测量单晶硅锭的导电类型;四探针技术用来测量单晶硅锭的电阻率;激光扫描法用来测量硅锭的直径;光电导衰法用来测量少数载流子的寿命。
6.芯片检测工艺通常在()无尘车间内进行。
A、百级
B、千级
C、十万级
D、三十万级
正确答案:B
答案解析:芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试,其芯片为非裸露状态,通常在常规千级无尘车间内进行,其温度为22±3℃,湿度为55±10%。
7.最大不失真输出电压测试,输入信号步进值(),但测试时间会随输入电压步进值()。
A、越大越好、增加而减小
B、越小越好、减小而增加
C、越小越好、增加而增加
D、越大越好,减小而减小
正确答案:B
8.元器件的标志方向应按照图纸规定的要求,若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按照()的顺序读出。
A、从右到左、从上到下
B、从右到左、从下到上
C、从左到右、从下到上
D、从左到右、从上到下
正确答案:C
9.在AD软件中,当项目被编译后,任何错误都将显示在()。
A、Message面板
B、Debug面板
C、Navigator面板
D、Project面板
正确答案:A
10.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶硅的()参数。
A、直径
B、电阻率
C、少数载流子寿命
D、导电类型
正确答案:D
11.用比色法进行氧化层厚度的检测时,看到的色彩是()色彩。
A、反射
B、干涉
C、衍射
D、二氧化硅膜本身的
正确答案:B
答案解析:硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜,当有白光照射时,二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化层厚度的干涉色彩不同,因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。
12.在全自动探针台上进行扎针调试时,若发现探针整体偏移,则对应的处理方式是:()。
A、利用摇杆微调扎针位置
B、相关技术人员手动拨针,使探针移动至相应位置
C、更换探针测试卡D、调节扎针深度
正确答案:A
答案解析:扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移,需要用摇杆微调整体的扎针位置。
13.平移式分选机进行芯片分选时,吸嘴从()上吸取芯片。
A、收料盘
B、待测料盘
C、入料梭
D、出料梭
正确答案:D
答案解析:平移式分选机进行芯片分选时,吸嘴从出料梭上吸取芯片。
14.使用转塔式分选设备进行芯片测试时,芯片在该工位完成操作后,需要进入()环节。
A、测试
B、测前光检
C、测后光检
D、旋转纠姿
正确答案:C
15.通常一个花篮中最多装()片晶圆。
A、30
B、20
C、25
D、15
正确答案:C
16.当()时,可以确定
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