1+X集成电路理论练习题库+参考答案.docxVIP

1+X集成电路理论练习题库+参考答案.docx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料,不作为权威性指导和指引,仅供参考
  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

1+X集成电路理论练习题库+参考答案

一、单选题(共39题,每题1分,共39分)

1.平移式分选机设备测试环节的流程是:()。

A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片

B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片

C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片

D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果

正确答案:B

答案解析:平移式分选机设备测试环节的流程是:入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。

2.从安全上看,四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为:()。

A、硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法<三氯化硅氢还原法

B、四氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法

C、三氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法

D、硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法<四氯化硅氢还原法

正确答案:D

答案解析:从安全上看,硅烷最危险,最容易爆炸,三氯氢硅次之,也容易爆炸,四氯化硅最安全,根本不会发生爆炸。

3.减薄工艺的正确流程是()。

A、清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗

B、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗

C、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗

D、清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗

正确答案:D

4.管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的封口边()处贴上“合格”标签。

A、左侧

B、右侧

C、中央

D、任意位置

正确答案:C

答案解析:管装包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的封口边中央处贴上“合格”标签。

5.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶硅的()参数。

A、电阻率

B、直径

C、少数载流子寿命

D、导电类型

正确答案:D

答案解析:热探针法用来测量单晶硅锭的导电类型;四探针技术用来测量单晶硅锭的电阻率;激光扫描法用来测量硅锭的直径;光电导衰法用来测量少数载流子的寿命。

6.芯片检测工艺通常在()无尘车间内进行。

A、百级

B、千级

C、十万级

D、三十万级

正确答案:B

答案解析:芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试,其芯片为非裸露状态,通常在常规千级无尘车间内进行,其温度为22±3℃,湿度为55±10%。

7.最大不失真输出电压测试,输入信号步进值(),但测试时间会随输入电压步进值()。

A、越大越好、增加而减小

B、越小越好、减小而增加

C、越小越好、增加而增加

D、越大越好,减小而减小

正确答案:B

8.元器件的标志方向应按照图纸规定的要求,若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按照()的顺序读出。

A、从右到左、从上到下

B、从右到左、从下到上

C、从左到右、从下到上

D、从左到右、从上到下

正确答案:C

9.在AD软件中,当项目被编译后,任何错误都将显示在()。

A、Message面板

B、Debug面板

C、Navigator面板

D、Project面板

正确答案:A

10.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶硅的()参数。

A、直径

B、电阻率

C、少数载流子寿命

D、导电类型

正确答案:D

11.用比色法进行氧化层厚度的检测时,看到的色彩是()色彩。

A、反射

B、干涉

C、衍射

D、二氧化硅膜本身的

正确答案:B

答案解析:硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜,当有白光照射时,二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化层厚度的干涉色彩不同,因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。

12.在全自动探针台上进行扎针调试时,若发现探针整体偏移,则对应的处理方式是:()。

A、利用摇杆微调扎针位置

B、相关技术人员手动拨针,使探针移动至相应位置

C、更换探针测试卡D、调节扎针深度

正确答案:A

答案解析:扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移,需要用摇杆微调整体的扎针位置。

13.平移式分选机进行芯片分选时,吸嘴从()上吸取芯片。

A、收料盘

B、待测料盘

C、入料梭

D、出料梭

正确答案:D

答案解析:平移式分选机进行芯片分选时,吸嘴从出料梭上吸取芯片。

14.使用转塔式分选设备进行芯片测试时,芯片在该工位完成操作后,需要进入()环节。

A、测试

B、测前光检

C、测后光检

D、旋转纠姿

正确答案:C

15.通常一个花篮中最多装()片晶圆。

A、30

B、20

C、25

D、15

正确答案:C

16.当()时,可以确定

文档评论(0)

百知星球 + 关注
实名认证
文档贡献者

精心梳理知识,畅快分享所得

1亿VIP精品文档

相关文档