半导体制造技术-习题4-7章.docxVIP

4-5章

1.为什么集成电路芯片制造需要用单晶硅材料?

因为非晶态和多晶态，从晶粒边界散射的电子会会严重影响PN节的特性。

2.在一个立方体上画出100和111平面。

3.在集成电路工业中，硅晶圆比其他半导体晶圆普遍使用的原因是什么?

1.硅是地球上最丰富的元素之一

2.硅晶圆能够再热氧化的过程中生长一层二氧化硅

3.硅材料具有较大的能隙，所以能承受较高的工作温度和较大的杂质掺杂范围

4.哪种化学药品用于将MGS纯化成EGS?说明其安全性与危险性。

HCL和氢气

5.?CZ法提拉单晶的工艺流程是什么?为什么CZ法提拉的晶圆比悬浮区熔法提拉的单晶有较高的氧浓度?

1.将高纯度的电子级硅材料放入缓慢转动的石英坩埚中在1415C熔化（硅的熔点是1414C）

2.将一个安装在慢速转动夹具上的单晶硅籽晶棒缓慢降低高度，溶解在熔融硅中

3.将单晶硅籽晶缓慢拉出就可以把熔融的硅拉出来，使其沿着籽晶的晶体方向凝固。

CZ法提拉的单晶硅棒总是有微量的氧和碳杂质，这是由于坩埚本身的材料引起的。

而悬浮区熔法处理的时候不接触坩埚。

6.说明外延工艺的目的。

外延层能够在低阻衬底上形成一个高阻层，这样可以提高双载流子晶体管bipolartransistor的性能

外延层也可以增强动态随机存储DRAM和互补金属氧化物半导体CMOS的性能。

双载流子晶体管需要外延层在硅的深部形成重掺杂深埋层。

外延层能够提供与衬底晶圆不同的物理特性。

7.什么是自掺杂效应?如何避免??

8.列出三种外延硅的原材料。

SIH4

SIH2CL2

SIHCL3

掺杂AsH3、PH3、B2H6

9.列出常用的三种外延硅掺杂物，并说明掺杂气体的安全性。

掺杂AsH3、PH3、B2H6

三种氢化物都有剧毒、易燃和易爆炸

10.单晶硅外延反应器优于批量外延系统的优点是什么?

有较高的外延层生长速率和较高的可靠性，重复性，能够在大气压和低压下沉积高质量、低成本的薄膜。

11.键合SOI技术需要哪种离子注人??SIMOX注氧隔离SOI晶圆需要哪种离子注人?

氢离子氧离子

键合SOI的主要优势在于成本

12.解释为什么大多数IC制造商使用局部应变strain技术代替应变硅技术制造MOSFET?

因为只有MOSFET的栅极氧化层下方的沟道需要应变，因此没有必要对整个晶片进行应变，

13.大多数IC制造商将具有局部应变的体硅晶圆用于先进IC芯片制造，而且使用混合定位技术，请解释原因是什么?

在PMOS和NMOS上分别实现压应变和拉应变，用于提高P沟道的空穴迁移率和N沟道的电子迁移率。

1.列出至少三种加热工艺。

氧化工艺、扩散工艺、退火过程

2.说明一种加热工艺过程。为什么在硅局部氧化形成时，氧化薄膜会向硅衬底内生长?

氧化过程中的氧是气体，硅来自衬底，因此生长二氧化硅时，就会消耗陈地上的硅，这层薄膜将朝向硅衬底内生长。

3.整面全区氧化一般使用哪种氧化工艺?为什么?

干氧氧化的速率比湿氧化速率低，但氧化薄膜的质量比湿氧化高，所以薄的氧化层：屏蔽氧化层、衬底氧化层、栅极氧化层用干氧氧化工艺

湿氧氧化工艺H2O在高温下分解成HO，HO在二氧化硅中的扩散速度比氧气快，所以湿法氧化过程的氧化速率远比干氧化快。湿氧化法用于生长较厚的氧化层如：遮蔽氧化层、整面全区覆盖氧化层和LOCOS氧化层。

4.氢氧燃烧湿法氧化工艺与其他湿法氧化工艺比较有什么优缺点?

略去了处理气体和液体的过程，又可以准确地控制气体流量

5.为什么氢氧燃烧湿法氧化工艺中的H2:O2注人比例要略小于2:1?

为了使充足的氧气和氢气充分反应，将氢气充分氧化，因为炉管内积累氢气容易发生爆炸。

6.请列出栅极氧化工艺中所使用的全部气体，并说明每种气体的作用。

HCL用于捕捉金属离子，特别是Na离子，形成金属氯化物。

并且HCL反应中CL离子还可以融入二氧化硅薄膜并与硅在二氧化硅的界面相连接在一起而减少悬浮键的数量。

O2用于氧化反应

工艺用氮气高纯度氮气用于氧化反应中

吹出净化氮气低纯度氮气用于净化反应室

8.IC芯片制造过程中会使用垫底氧化层、阻挡氧化层、栅氧化层、屏蔽氧化层和全区氧化层，说明哪种氧化层最薄?哪种氧化层最厚?

栅极氧化层最薄，屏蔽氧化层最厚

9.虽然扩散掺杂工艺中可能不使用高温炉，为什么仍称高温炉为“扩散炉”?

10.直立式炉管与水平式炉管比较有什么优点?

直立式的炉管占地较少，节省空间垂。直炉管气体接触均匀

11.请列出扩散掺杂处理的三个过程。

1.沉积掺杂氧化物

2.覆盖氧化层氧化

3.掺杂物扩散

12为什么二氧化硅能作为扩散遮蔽层?

因为对于B和P元素餐杂物在二氧化硅中的活化能高于在单晶硅中的活化能，在二氧化硅中的扩散速率远低于在硅中的扩散速率，因此二氧化硅能够作为遮蔽层dif