宏盛微半导体AP30N12D.pdf

下载文档

0
0
约1.86万字
约 5页
2025-03-24 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

宏盛微半导体AP30N12D.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

AP30N12D

120VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP30N12Dusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=120VI30A

DSD

RDS(ON)75mΩ@VGS=10V（Type：50mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP30N12DTO-252-3LAP30N12DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage120V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V30A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V23A

PulsedDrainCurrent190A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation30W

P@T=25℃TotalPowerDissipation3

您可能关注的文档

文档评论（0）

深圳市宏盛微半导体 + 关注: 实名认证

内容提供者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

宏盛微半导体AP30N12D.pdf