2025年磁场考试真题汇编及解析攻略.doc

塔山中学高三后期冲刺复习題--磁场

一、选择題。

1.(重庆卷)．如題5图所示，一段長方体形导电材料，左右两端面的边長都為a和b，内有带电量為q的某种自由运动电荷。导电材料置于方向垂直于其前表面向里的匀强磁场中，内部磁感应强度大小為B。当通以从左到右的稳恒电流I時，测得导电材料上、下表面之间的电压為U，且上表面的电势比下表面的低。由此可得该导电材料单位体积内自由运动电荷数及自由运动电荷的正负分别為（）

A．，负B．，正

C．，负D．，正

2.【广东高考】．如图9，两个初速度大小相似的同种离子a和b，从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场，最终打到屏P上。不计重力。下列說法对的的有

A．a、b均带正电（）

B．a在磁场中飞行的時间比b的短

C．a在磁场中飞行的旅程比b的短

D．a在P上的落点与O点的距离比b的近

3.【上海高考】．如图，足够長的直线ab靠近通电螺线管，与螺线管平行。用磁传感器测量ab上各点的磁感应强度B，在计算机屏幕上显示的大体图像是（）

4.（全国新課标I）、如图，半径為R的圆是一圆柱形匀强磁场区域的横截面(紙面)，磁感应强度大小為B，方向垂直于紙面向外。一电荷量為q(q0)，质量為m的粒子沿平行于直径ab的方向射人磁场区域，射入点与ab的距离為R/2。已知粒子射出磁场与射入磁场時运动方向间的夹角為600。，则粒子的速率為(不计重力)（）

AqBR/2mB．qBR/mC．3qBR/2mD2qBR/m

5.(安徽高考)．图中a、b、c、d為四根与紙面垂直的長直导线，其横截面积位于正方形的四个顶点上，导线中通有大小相等的电流，方向如图所示。一带正电的粒子从正方形中心O点沿垂直于紙面的方向向外运动，它所受洛伦兹力的方向是（）

A．向上B．向下

C．向左D．向右

IcbccacIcIc6

I

c

b

c

c

a

c

I

c

I

c

A．B1=B2B3

B．B1=B2=B3

C．a和b处磁场方向垂直于紙面向外，c处磁场方向垂直于紙面向里

D．a处磁场方向垂直于紙面向外，b和c处磁场方向垂直于紙面向里

7.（浙江理综）

．注入工艺中，初速度可忽视的离子P+和P3+，经电压為U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示，已知离子P+在磁场中转过=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动時，离子P+和P3+

()

A．在内场中的加速度之比為1:1

B．在磁场中运动的半径之比為根号3:1

C．在磁场中转过的角度之比為1：2

D．离开电场区域時的动能之比為1:3

二、填空題。

8.【上海高考】．(3分)演示地磁场存在的试验装置(由环形线圈，微电流传感器，DIS等构成)如图所示。首先将线圈竖直放置，以竖直方向為轴转动，屏幕上的电流指针＿＿＿＿(填：“有”或“无”)偏转；然后仍将线圈竖直放置，使其平面与东西向平行，并从东向西移动，电流指针＿＿＿＿(填：“有”或“无”)偏转；最终将线圈水平放置，使其从东向西移动，电流指针＿＿＿＿(填：“有”或“无”)偏转。

9.（山东理综）霍尔效应是电磁基本現象之一，近期我国科学家在该领域的试验研究上获得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同步外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出現电压UH，这个現象称為霍尔效应，UH称為霍尔电压，且满足，式中d為薄片的厚度，k為霍尔系数。某同学通过试验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

①若该半导体材料是空穴（可视為带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量UH時，应将电压表的“+”接线柱与_________(填“M”或“N”)端通过导线相连。

②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，变化电流I的大小，测量对应的UH值，记录数据如下

表所示。

根据表中数据在給定区域内（見答題卡）画出UH—I图线，运用图线求出该材料的霍尔系数為_______________（保留2位有效数字）。

③该同学查阅资料发現，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，為此该同学设计了如图丁所示的测量电路，S1、S2均為单刀双掷开关，虚线框内為半导体薄片（未画出）。為使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_______（填“a”或“b”）,S2掷向_______（填“c”或“d”）。

為了保证测量安全，该同学改善了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其他连接不变的状况