TSZSA 031.01-2024 ESDTVS 静电保护类器件测试规范.docx

ICS31.080.01L40

T/SZSA

团 体 标 准

T/SZSA031.01-2024

代替T/SZSA031.01—2022

ESD/TVS静电保护类器件测试规范

ESD/TVS ESD Protection Device Test

Specification

2024-10-14发布 2024-10-21实施

深圳市半导体产业发展促进会 发布

目录

前言 I

引言 II

ESD/TVS静电保护类器件测试规范 1

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

静电阻抗器Electro-StaticDischarge 1

瞬态抑制二极管TransientVoltageSuppressor 1

击穿电压BreakdownVoltage 2

反向截止电压ReverseStand-OffVoltage 2

反向脉冲峰值电流PeakPulseCurrent 2

箝位电压ClampingVoltage 2

反向脉冲峰值功率Reversepulsepeakpower 2

结电容Junctioncapacitor 2

反向漏电流CurrentIntensityReverse 2

I-V特性曲线 2

C-V特性曲线 2

传输线脉冲TransmissionLinePulse 3

分类型号 3

分类 3

型号 3

测试方法 4

总则 4

测试目的 4

测试条件 4

测试设备和装置 5

测试关键指标 5

测试内容 5

关键参数示例 6

附录 A 7

ESD/TVS静电保护类器件测试方法 7

测试条件 7

测试设备 7

测试步骤 7

测试结果分析 7

测试数据记录 11

参考文献 14

I

I

前言

本标准按照GB/T1.1—2020给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。本标准由深圳市半导体产业发展促进会提出并归口。

本标准起草单位：深圳市晶扬电子有限公司、深圳市半导体产业发展促进会、深圳市半导体行业协会、深圳市金誉半导体股份有限公司、深圳市三联盛科技股份有限公司、深圳市三一联光智能设备股份有限公司、深圳市长运通半导体技术有限公司、深圳市旭智鹏技术开发有限公司。

本标准主要起草人：高东兴、杜飞波、刘伟明、隆省满、叶小波、鲍恩忠、常军锋、蔡纯、戴荣、谭生发、朱文锋、廖昌武、冯白华、杨坤宏、古道雄、赖清海、王旭昌、王丹芬。

本标准于2022年首次发布，本次为第一次修订。

II

II

引言

静电是日常生活中常见的一种自然现象，静电放电会造成电子产品和电子设备的功能紊乱甚至部件损坏，进而给我们的日常生活带来不必要的麻烦和经济上的损失。随着科学技术的发展，电力、电子产品日益多样化、复杂化，静电放电对于电子产品电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视，电路保护越来越受到关注。

随着现代半导体器件的规格要求提升，半导体器件对外界电磁骚扰敏感程度需求也大大提高，特别是消费电子产品向着轻薄化发展，导致内部IC的外形尺寸不断减小，其自身静电防护能力亦不断减弱，因此设计师在设计时通常会加入静电保护器件，继而就产生了对静电保护类器件的大量需求[1]。

在制定本标准前，对市场上常见的静电防护类器件品牌和型号进行了广泛的调研，针对ESD/TVS静电保护类器件，应用场景繁多，不同应用场景产品的技术参数要求差异很大，产品型号类型非常多。虽然国家发布了半导体分立器件型号命名方法规则[2]，但当前各厂商并没有严格遵照该方法命名，在国家规范的基础上，此标准建立了一套产品型号命名规则，能让客户轻松地分辨自己想要购买的产品型号和规格。

此外，静电保护类器件从设计到最终量产，一般需要经过芯片设计、晶圆制造、晶圆测试、封装、成品测试、板级封装等这些环节，在整个价值链中，芯片设计公司主导的环节主要是芯片设计和测试。

[3]。在芯片设计层面，本标准中的3nm和5nmESD(型号TT0201SA)和TVS（型号TT3304SP）工艺技术达到了

国际领先；针对芯片测试，为了规范芯片测试流程，我们将测试流程标准化，在适当的条件下，按照相应的程序和步骤完成芯片测试过程，达到安全、准确、高效、省力的效果。

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ESD/TVS静电保护类器件测试规范

范围

本标准规范了ESD/TVS静电保护类器件的测试要求，明确了产品型号命名规则、关键技术指标、测试方法、数据记录分析方法。

本标准适用于ESD/TVS静电保护类器件。

规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准