NSG6021 700V 大电流高、低侧 MOSFET IGBT 驱动芯片 SOP8 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG6021

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion2.1,2022.09.29

NSG6021700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮动通道NSG6021是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低

最高工作电压为700V

侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑

高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，

dV/dt耐受能力可达±50V/nsec

Vs负压耐受能力达-9V具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至

栅极驱动电压：10V到20V3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能

高、低侧欠压锁定电路

力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。

--欠压锁定正向阈值8.9V

可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

--欠压锁定负向阈值8.2V

芯片开通关断传输延时

/

--Ton/Toff=130ns/130ns

器件信息

防止直通保护

--死区时间250ns零件号封装封装尺寸（标称值）

NSG6021SOP84.9mmx3.9mm

高低侧延时匹配

驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A简化示意图

符合RoSH标准

SOP8(S)

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动程序

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