NSG20652Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯 QFN24 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG20652Q

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2023.08.30

NSG20652Q250V集成自举的三相栅极驱动芯片

1产品特性3产品概述

•自举工作的浮动通道NSG20652Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极

•最高工作电压可达250V驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅

•栅极驱动电压5V20V

~极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。

•兼容3.3/5V输入逻辑NSG20652Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉

•dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG20652Q关断输入低

•Vs负偏压能力达-9V电平同时关断高低侧输出。内部防直通和死区电路

•关断输入低电平同时关断高低侧输出

可以防止两个晶体管同时导通，进一步降低了开关

•输入输出同相位

损耗。NSG20652Q的欠压锁定功能确保了当供电电

•芯片开通/关断延时

压较低时，两个驱动器输出都是低电平。

--Ton/Toff=150ns/150ns

集成，可以为控制芯片提供电源电压。

NSG20652QLDO

--高低侧延时匹配

•防直通保护NSG20652Q集成自举二极管，可最大优化芯片外围

--死区时间：200ns电路。

•高、低侧欠压锁定电路

--欠压锁定正向阈值4.5V器件信息

--欠压锁定负向阈值4.3V

零件号封装封装尺寸（标称值）

•输出拉/灌电流能力：1.2A/1.5A

NSG20652QQFN244mm*4mm

•宽温度范围-40~125°C

•集成自举二极管

•集成LDO（5V/3.3V）

简化示意图

--SEL悬空，输出5V

--SEL接地，输出3.3V

--最大输出电流100mA

•符合RoSH标准

•采用QFN24封装

2应用范围

Motordriver

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