CASA 023功率半导体封装用烧结银膏规范（征求意见稿）.pdf

ICSXXX

XXX

团体标准

T/CASAS023—202X

宽禁带半导体封装用烧结银膏技术规范

Technicalspecificationforsilversinteringpasteof

widebandgapsemiconductorpackaging

（征求意见稿）

202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS023—202X（征求意见稿）

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASAS

所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何

单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件起草单位：……

本标文件起草人：……

III

T/CASAS023—202X（征求意见稿）

引言

SiC和GaN等宽带隙半导体材料具有带隙宽、临界击穿电压高、热导率高、载流子饱和漂移速度大

等特点，其半导体电路或器件在500℃左右甚至更高温度下仍具有良好的转换特性和工作能力，能有效

提高转换效率和工作温度，降低对冷却系统的要求，在航空航天、混合动力装置、高效光伏/风电系统、

油气钻探、核电设备等领域300℃～500℃的高温电路和器件中具有重要的应用价值。然而，SiC和GaN

等宽带隙半导体器件的最高允许工作温度不仅取决于半导体材料的性质，还受封装技术的限制，因此解

决芯片与基板的耐高温、低成本连接技术和可靠性的问题已经成为当前微电子领域的重要课题。

同时，随着电子电力等技术的进步，器件封装朝着高功率密度、高集成度的方向不断发展。互连层

作为功率模块热量传输的关键通道，对实现器件、模块高温可靠应用具有重要影响。目前半导体器件中

芯片互连的热界面材料主要为锡基钎料合金，金属锡的熔点为232℃，常用的无铅软钎料为锡银共晶合

金（Sn/Ag）和锡银铜共晶合金（Sn/Ag/Cu）。作为热界面材料使用时，软钎料在共晶熔点温度以上30-

40℃熔化，与界面发生润湿反应。软钎料与芯片以及基板之间的背金层（镀金或者镀银）发生反应，形

成金属间化合物，如AgSn和AuSn等，使得反应完成后的互连接头具有良好的机械性能。但是Sn/Ag

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共晶钎料（熔点为221℃）和Sn/Ag/Cu共晶钎料（熔点为217℃）的熔点过低，服役温度需低于熔点，

适用于现有半导体器件的应用环境，却无法应用于宽禁带半导体的芯片互连中，无法发挥出SiC等芯片

的高功率密度的优势。

低温烧结银作为一种典型的耐高温封装材料，能够在低温（200℃～300℃）下实现封装互连，并在

高温（理论上能达到700℃）下长时间稳定服役，因此受到了广泛关注。烧结银膏的工艺温度为180-

250℃，通过颗粒间原子扩散形成烧结颈，进而通过体积收缩完成致密化过程形成烧结体，银颗粒与界

面间通过互扩散形成冶金连接，从而获得良好的机械性能。烧结后的烧结体具有良好的导热导电性能，

高温稳定性好，可以满足SiC等功率半导体器件低温连接、高温服役的需求。

希望以此标准的制定，支撑产品的科学评价，服务烧结银膏的新兴市场发