XJNG2303 250V 1.5A 三相高低侧功率 MOSFET IGBT TSSOP20 驱动芯片深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司XJNG2303

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2022.09.19

XJNG2303250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮地通道XJNG2303是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动

最高工作电压为+250V

芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路

兼容3.3/5V输入逻辑

可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通

dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S

Vs负偏压能力达-9V道。XJNG2303逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或

栅极驱动电压范围8V至20VLSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防

高、低侧欠压锁定电路

直通的死区逻辑。XJNG2303的浮动通道可用于驱动高

--高侧欠压锁定正向阈值7.1V

压侧沟道功率，浮地通道最高工作电压可达

NMOSFET

--高侧欠压锁定负向阈值6.9V

。为封装，可以在℃至

--低侧欠压锁定正向阈值7V250VXJNG2303TSSOP20-40

--低侧欠压锁定负向阈值6.6V125℃温度范围内工作。

防直通死区逻辑

--死区时间设定200ns

器件信息

芯片传输延时特性

零件号封装封装尺寸（标称值）

--开通/关断传输延时Ton/Toff150ns/120ns

*

--延迟匹配时间小于50nsXJNG2303TSSOP206.5mm4.4mm

宽温度范围-40~125°C

输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A

符合RoSH标准

简化示意图

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

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