NSG21814 700V 大电流高、低侧 MOSFET IGBT 驱动芯片 SOIC14 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG21814

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion2.1,2022.09.29

NSG21814700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮动通道NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱

最高工作电压为700V动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干

dV/dt耐受能力可达±50V/nsec扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电

Vs负压耐受能力达-9V路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入

栅极驱动电压：10V到20V电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，

高、低侧欠压锁定电路输出电流能力最大可达，其浮地通道最高工作电压

4A

--欠压锁定正向阈值8.9V可达700V。可用于驱动N沟道高压功率

--欠压锁定负向阈值8.2VMOSFET/IGBT等器件。

芯片开通关断传输延时

/

--Ton/Toff=130ns/130ns）

高低侧延时匹配器件信息

驱动电流能力：零件号封装封装尺寸（标称值）

--/=4.0A/4.0ANSG21814SOIC148.6mmx3.9mm

拉电流灌电流

符合RoSH标准

SOIC8(S)

简化示意图

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动程序

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