CASA 015-20XX 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法—征求意见稿.pdf

ICSXXX

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团体标准

T/CASA015—202X

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）功率循环试验方法

Powercyclingtestmethodforsiliconcarbidemetal-

oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

征求意见稿

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上

202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASA015—202X

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归

CASAS所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS

允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

III

T/CASA015—202X

引言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力

强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发

展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境

下工作的电子器件。SiC器件的功率循环试验及可靠性评估，对于提升SiCMOSFET器件的可靠性评价

与分析技术能力，支撑SiCMOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。

由于SiO/SiC界面缺陷的俘获/释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiC

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MOSFET器件的阈值电压VGS(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，

本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。

V

T/CASA015—202X

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）

功率循环试验方法

1范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法，评价器

件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。本方法是使器件重复承受通电升温和关断降温

循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。

本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiCMOSFET。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构