基准源、噪声、开关电容设计及验证、门特卡罗仿真.pptxVIP

浙大微电子基准源、噪声、开关电容

及MonteCarlo仿真浙江大学微电子与光电子研究所2013年11月5日2025/3/281/91

浙大微电子大纲电压基准源设计集成电路噪声分析及仿真开关电容电路理论、设计举例及仿真MonteCarlo仿真2025/3/282/91

浙大微电子电压基准源设计2025/3/283/91

浙大微电子常见电压基准源带隙基准源特点：静态电流较小，输出电压精度较高，不需要外部电阻举例：MAX6034齐纳基准源特点：输出电压和功率范围大，静态电流较大，输出电压精度较低，需要外部电阻举例：MA3/284/91

浙大微电子电压基准源对比齐纳带隙基准优点电压范围大；长期稳定；适合大电流工作（1－10mA）；可以提供低电压；静态电流小（uA至1mA左右）；不需要外部电阻；精度在0.05%－0.5％之间；缺点始终有电流，且静态电流大；需要外部电阻；低精度（1%以上）；只能吸入电流；电压范围小；需要校正；应用适合对功耗要求不严的应用适合要求功耗小的应用2025/3/285/91

浙大微电子带隙基准源原理平衡VBE的负温度系数和Vt=kT/q的正温度系数2025/3/286/91

浙大微电子如何实现Vt=kT/q？通过改变PNP发射区面积2025/3/287/91

浙大微电子带隙基准源的两种经典实现方式电流镜方式放大器反馈方式2025/3/288/91

浙大微电子输出驱动驱动能力要求仅仅是基准源核心电路没有足够的能力驱动外部大的负载，需要加buffer；基准源的驱动能力取决于buffer的驱动能力放大器的频率补偿为了在外部负载比较大的情况下，保证运放稳定；设计时，必须做交流仿真，以保证频率稳定。提供基准电流2025/3/289/91

浙大微电子Cascade结构CascadeMOSM1－M8保证Q1、Q2电流完全相同，且M1和M2源端电位近似相等原理实现2025/3/2810/91

浙大微电子基准源噪声带隙基准源的输出噪声会显著影响低噪声电路的性能。例如，基准噪声大幅度削减高精度ADC性能；降噪措施：1、通过减少电路元器件个数，和使用阻值较小的电阻，可以减少噪声；2、采用1/f噪声较小的PMOS管；3、增大MOS面积也可减少1/f噪声。基准源噪声仿真2025/3/2811/91

浙大微电子基准源仿真在基准源中引入误差放大器，提高输出电压精度电路示例2025/3/2812/91

浙大微电子基准源说明Q3和Q4的面积为Q1、Q2的n倍，采用层叠三极管能够使X点电压提高为2VEB1，降低误差放大器失调电压的影响。X点电压与Y点电压相等，Q1、Q2、Q3、Q4的偏置电流相等2025/3/2813/91

浙大微电子温度稳定性仿真Temperaturecoefficient定义单位是ppm/℃三极管面积比例n=36，电阻比例R3/R4=2.87（R3=86K，R4=30K）选择dc－temperature扫描，得到输出基准电压随温度变化的曲线2025/3/2814/91

浙大微电子电阻取值的优化使用“Parametric”分析来优化电阻值1、设置变量2、在“Parametric”分析窗口设置扫描变量和扫描方式3、运行“Parametric”分析，得到结果如右图所示4、缩小扫描范围，对电阻取值进一步优化2025/3/2815/91

浙大微电子利用“Calculator”分析仿真结果利用“Calculator”工具写入“TC”的表达式TC=(ymax(VS(“/VREF”))-ymin(VS(“/VREF”)))/(average(VS(“/VREF”))*125)*10000001、手动输入2、采用“Calculator”RPN模式输入2025/3/2816/91

浙大微电子利用“Calculator”分析仿真结果在ADE界面“Outputs-Setup…”中打开SettingOutputs窗口，在“Name”栏填入输出变量名“TC”，点击“GetExpression”将“Calculator”中的表达式导入“Expression”栏重新采用“Parametric”分析对电路进行仿真，Candence会根据所填入的表达式计算基准源的温度系数，并得到不同电阻值下温度系数的变化曲线图2025/3/2817/91

浙大微电子利用“Calculator”分析仿真结果2025/3/2818/91

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