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集成电路设计中的超大规模集成电路设计考核试卷

一、选择题（每题5分，共25分）

1.以下哪种CMOS工艺主要用于超大规模集成电路设计？

A.双极型

B.单极型

C.双极型+单极型

D.硅控整流型

2.以下哪个参数是衡量超大规模集成电路性能的重要指标？

A.功耗

B.面积

C.速度

D.成本

3.在超大规模集成电路设计中，以下哪种布局方式有利于降低功耗？

A.顺序布局

B.分区布局

C.环形布局

D.随机布局

4.以下哪个因素会影响超大规模集成电路的热效应？

A.电压

B.频率

C.面积

D.所有上述因素

5.以下哪种技术可以减小超大规模集成电路的短沟道效应？

A.通道掺杂

B.栅极长度减小

C.栅极氧化层厚度增加

D.源漏掺杂浓度降低

二、简答题（每题10分，共30分）

1.请简述超大规模集成电路设计中功耗的主要来源。

2.请简要介绍超大规模集成电路设计中的一种低功耗设计技术。

3.请简述超大规模集成电路设计中如何考虑信号完整性问题。

三、计算题（每题15分，共45分）

1.假设一个超大规模集成电路芯片的面积为10mm2，功耗为1W，请计算其功耗密度。

2.假设一个超大规模集成电路芯片的工作频率为1GHz，信号传播速率为0.5cm/ns，请计算该芯片的最小延迟。

3.假设一个超大规模集成电路芯片的电源电压为1.2V，电流为500mA，请计算该芯片的静态功耗。

四、设计题（共50分）

请根据以下要求设计一个简单的超大规模集成电路：

1.设计一个4to1多路选择器，输入信号为A、B、C、D，选择信号为S1和S0，输出信号为Y。

（10分）

2.设计一个带使能端的D触发器，输入信号为D，使能信号为Enable，时钟信号为CLK，输出信号为Q。

（15分）

3.设计一个2位加法器，输入信号为A1、A0、B1、B0，输出信号为S1、S0、Cout。

（25分）