2024—2025学年上海市曹杨第二中学高三上学期10月月考化学试卷.docVIP

2024—2025学年上海市曹杨第二中学高三上学期10月月考化学试卷

一、解答题

(★★★)镓广泛应用于光电及微电子领域，目前80%的镓被用于生产砷化镓(GaAs)。已知镓与砷在元素周期表中位置如图所示。

Al

Si

P

Ga

Ge

As

1．请写出镓的基态原子核外电子排布式(简化)___________。

2．镓的基态原子核外有___________种能量不同的电子，位于元素周期表的___________区。用原子光谱分析法测定镓元素，不可能得到___________。

A．吸收光谱B．线光谱C．发射光谱D．连续光谱

3．与镓同周期所有元素中，基态原子核外未成对电子数与镓原子相同的元素有___________种。

4．关于表中元素及其化合物相关比较正确的是___________。

A．金属性：AlGa

B．热稳定性：PH3AsH3

C．原子半径：GeAs

D．酸性：Ga(OH)3Ge(OH)4

5．B与Ga是同主族元素，下列说法不正确的是___________。

A．H3BO3、[B(OH)4]-中硼原子的杂化方式均为sp2

B．电负性：BGa

C．与Ga同周期的主族元素中，第一电离能比Ga大的有5种

D．相同条件下在水中溶解度：氨硼烷(BH3NH3)乙烷

6．已知：GaCl3·xNH3(x=3，4，5，6)是一系列化合物。可推测Ga3+的配位数为___________。向含1molGaCl3·xNH3溶液中加入足量AgNO3溶液，有难溶于硝酸的白色沉淀生成；过滤后，充分加热滤液，有氨气逸出，且又有上述沉淀生成，两次沉淀的物质的量之比为1：2，能准确表示GaCl3·xNH3结构的化学式为___________。

7．氮化镓是第三代半导体材料。传统制备GaN是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应制备，不采用金属Ga与N2制备的原因是___________。

8．GaN的一种晶胞结构如图所示，若阿伏加德罗常数的值为NA，则该GaN晶体的密度为___________g·cm-3。

二、填空题

(★★★)回答下列问题。

9．AlBr3常以二聚体形式存在，且各原子均满足8e-结构，该二聚体中存在的化学键有___________。

A．极性键

B．氢键

C．配位键

D．离子键

10．将该二聚体溶于CH3CN生成[Al(CH3CN)2Br2]Br。其中心原子(或离子)为___________，配体为___________(填化学式)；该配离子的结构为___________形。

A．平面四边B．正方C．四面体D．正四面体

(★★★)对砷化镓废料中镓与砷的清洁高效提取成为研究热点。

11．完成并配平“氧化碱浸”发生反应的化学方程式：___________。

___________GaAs+___________NaOH+___________H2O2=___________Na[Ga(OH)4]+___________Na3AsO4+______________________

12．若用240g含7.25%砷化镓的废料回收镓，得到纯度99%的镓7.0kg，列式计算镓的回收率___________。

三、解答题

(★★★)硫化氢广泛存在于天然气中的有毒气体，目前有多种硫化氢脱除工艺。

I．Claus法脱硫。第一阶段中部分硫化氢被空气完全氧化为SO2；第二阶段在400℃左右进行，上一阶段氧化产物与剩余硫化氢继续反应，生成硫单质(化学式为S2)。

13．关于SO2分子说法正确的是___________。

A．既含有键，又含有键

B．含有极性键的极性分子，与O3是等电子体

C．分子构型为角形，键角为120°

D．属于非极性分子，S原子采用sp杂化

14．已知第二阶段每生成32gS2，反应体系会吸收15.75kJ的热量，且?S＞0，写出该过程的热化学方程式：___________。

15．为使硫单质回收率最大，第一阶段硫化氢的氧化率应控制在___________。(已知：氧化率=×100%)

A．25.0%

B．33.3%

C．50%

D．66.7%

Ⅱ．直接氧化法脱硫。反应历程与体系能量变化如下图所示(TS表示过渡态)。

16．上述反应历程共涉及___________个基元反应。

17．其中化