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NSI6601M
Single-ChannelIsolatedGateDriver
Datasheet(EN)1.3
ProductOverviewCQCcertificationperGB4943.1-2011
TheNSI6601Misasingle-channelisolatedgatedriverApplications
designedtodriveIGBTs,powerMOSFETsandSiCIsolatedDC/DCandAC/DCPowerSupplies
MOSFETsinmanyapplications.ItprovidessplitoutputHighVoltagePFC
thatcontrolstheriseandfalltimesindividually.ItcanSolarInverters
sourceandsink5Apeakcurrent.
MotorDrivesandEVCharging
TheNSI6601MisavailableinSOP8orSOW8package,and
UPSandBatteryChargers
cansupport3000VRMSand5700VRMSisolationper
UL1577respectively.SystemrobustnessissupportedbyDeviceInformation(1)
150kV/μsminimumcommon-modetransientimmunityPartNumberUVLOPackageBodySize
(CMTI).Level
NSI6601MB-9VSOP84.9×3.9×1.35mm
Thedriveroperateswithamaximumsupplyvoltageof
DSPR
32V,whiletheinput-sideacceptsfrom3.1Vto17VsupplyNSI6601MB-9VSOW87.5×5.85×2.3mm
voltage.Undervolt
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