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表面科学SurfaceScience602(2008)2250–2255

通过紫外线照射控制SAMs表面活性选择铜的沉积位点

aba

Jie-QiongBao,QiWanga,*,XinLiu,LiangDing

aDepartmentofChemistry,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,PRChina

bSchoolofChemistryandChemicalEngineering,SunYat-senUniversity,Guangzhou510275,PRChina

以Cu(hfac)作为先导，在3-巯丙基三乙氧基硅烷（MPTMS）和3-氨基丙基

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三甲氧基硅烷(PTMS)自组装单分子层(SAMs)紫外线修饰改性硅基底形成铜的位

点选择性沉积薄膜。通过数码相机、电荷耦合装置(CCD)和扫描电子显微镜(SEM)

分析得到温度为340℃经过18min铜在改性PTMS-SAM基底上沉积的底片图和在温

度为380℃时，经过2min铜在改性PTMS-SAM基底上沉积的正像图，SAMs表面的结

构在紫外照射前后的变化有水的接触角测量和X射线光电子能谱来表征，结果表

明被辐射的MPTMS区域Si-C键断裂而且Si-OH键形成。因此在保留有-SH的区域

铜选择性沉积并形成了地片图。然而，-COOH的形成和PTMS-SAM的氧化含有

活性氧类物质是铜在PTMS上沉积正像形成的主要原因。Cu原子和SAMs的终止

基团（-SH或-COOH）之间强烈的相互作用也可能是铜选择性化学气相沉积

（CVD）的原因。

1.前言

最近几年，由于铜比铝合金更小的电阻率和更大的电阻，铜被用作互连材料

应用于超大规模集成电路[1-5]。在超大规模集成电路中铜的金属化处理，有两个

基本方法来建立铜模式。

一是利用大马士革镶嵌技术，即包括铜在沟槽覆盖沉积然后通过孔洞,其次

进行化学机械抛光（CMP）[5，8]。另一种方法是选择性化学气相沉积（CVD），

这种方法广为关注，因为选择性化学气相沉积（CVD）可以保证适形铜层在小

的沟槽和孔洞中的沉积，并且减少处理步骤和成本[9]。

通常，特定条件下不同表面的选择性沉积是可观察的。例如，Aritaetal.

在反应温度为350℃和压力为1kPa的条件下，以Cu(hfac)为先驱物完成了铜在金

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属W而不是SiO表面的选择性化学气相沉积[10]。Kimetal.也报道了以Cu(hfac)

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为先导，在温度为310-360℃和压力为2-10托的条件下铜在Al,TiSi和CoSi上选

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择性沉积[9]。最近，Papadimitropoulos和Davazoglou提出一个直接流体注射

(I)

热线化学气相铜沉积体系利用Cu(hfac)(tmvs)【六氟代乙酰丙酮化铜（Ⅰ）三

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甲基乙烯基硅烷】作为先驱物，并且铜膜选择性沉积在有图案的热线式氢氧化钨

层上[11]。Kritikosetal.也提出在大气压和温度为135-350℃是釩氧化膜的化

学气相沉积选择性地出现在有图案的铜膜上而不是硅的氧化物上[12]。所有的这

些研究都显示选择性化学气相铜沉积都是由于先驱物与不同基底表面的不同的

反应性。因此，为了得到位点选择化学气相铜沉积，如何控制基底表面反应性是

至关重要的。

目前研究表明自组装单分子层（SAMs）可以用作超薄阻挡层和铜金属化表面