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*四、生产工艺介绍晶体硅太阳能电池工艺流程如下：生产工艺---清洗和表面腐蚀生产工艺---制绒表面绒面化由于硅片用P型（100）硅片，可利用氢氧化钠溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子10时（所谓各向异性因子就是（100）面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比），可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳电池的光电转换效率。金字塔形角锥体的表面积S0等于四个边长为a正三角形S之和
由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即1.732倍。绒面受光面积绒面反射率当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二次反射光Φ3和进入半导体的折射光Φ4；而对光面电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%。生产工艺---扩散生产工艺---表面成膜PEVCD被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在300-900℃的温度下通过化学反应产生Si3N4的过程。典型的化学反应为：SiH4+NH3→Si3N4+NH3+N2多晶硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产高效多晶硅太阳电池,为上世纪末多晶硅太阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳。随着PECVD在多晶硅太阳电池成功,引起人们将PECVD用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望。等离子化学气相沉积(PEVCD)生产工艺---制备电极（1）生产工艺---制背电极（2）生产工艺---背表面钝化五、生产设备—清洗设备生产设备—扩散炉生产设备—刻蚀*
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