半导体二极管及其基本电路课件.pptVIP

(1)勢壘電容CB勢壘電容是由空間電荷區的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結上壓降發生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。勢壘電容的示意圖如下圖。勢壘電容示意圖(2)擴散電容CD擴散電容是由多子擴散後，在PN結的另一側面積累而形成的。因PN結正偏時，由N區擴散到P區的電子，與外電源提供的空穴相複合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區內緊靠PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分佈曲線。擴散電容示意圖反之，由P區擴散到N區的空穴，在N區內也形成類似的濃度梯度分佈曲線。擴散電容的示意圖如圖所示。擴散電容CD當外加正向電壓不同時，擴散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分佈也不同，這就相當電容的充放電過程。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容。擴散電容示意圖PN結在反偏時主要考慮勢壘電容。PN結在正偏時主要考慮擴散電容。§2.3半導體二極體及其應用半導體二極體的結構類型半導體二極體的伏安特性曲線半導體二極體的參數半導體二極體的溫度特性半導體二極體的型號穩壓二極體半導體二極體及其分析方法2.3.1半導體二極體的結構類型在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極體。二極體按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結構示意圖如下圖所示。(1)點接觸型二極體—PN結面積小，結電容小，用於檢波和變頻等高頻電路。點接觸型二極體的結構示意圖二極體的結構平面型(3)平面型二極體—往往用於積體電路製造工藝中。PN結面積可大可小，用於高頻整流和開關電路中。(2)面接觸型二極體—PN結面積大，用於工頻大電流整流電路。面接觸型2.3.2半導體二極體的伏安特性曲線半導體二極體的伏安特性曲線如圖所示。處於第一象限的是正向伏安特性曲線，處於第三象限的是反向伏安特性曲線。二極體的伏安特性曲線根據理論推導，二極體的伏安特性曲線可用下式表示式中IS為反向飽和電流，V為二極體兩端的電壓降，VT=kT/q稱為溫度的電壓當量，k為玻耳茲曼常數，q為電子電荷量，T為熱力學溫度。對於室溫（相當T=300K），則有VT=26mV。矽二極體的死區電壓Vth=0.5V左右，鍺二極體的死區電壓Vth=0.1V左右。當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。當V＞0即處於正向特性區域。正向區又分為兩段：當V＞Vth時，開始出現正向電流，並按指數規律增長。(1)正向特性當V＜0時，即處於反向特性區域。反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。(2)反向特性反向特性在反向區，矽二極體和鍺二極體的特性有所不同。矽二極體的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極體的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，矽二極體若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時,則主要是齊納擊穿。當在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度係數點。2.3.3半導體二極體的參數半導體二極體的參數包括最大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、最大反向工作電壓VRM、反向電流IR、最高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：(1)最大整流電流IF——二極體長期連續工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓VBR———和最大反向工作電壓VRM二極體反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓VBR。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓VRM一般只按反向擊穿電壓VBR的一半計算。半導體二極體的參數(3)反向電流IR:在室溫下，在規定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。矽二極體的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極體在微安(?A)級。(4)正向壓降VF：在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降。小電流矽二極體的正向壓降在中等電流水準下，約0.6～0.8V；鍺二極體約0.2～0.3V。(5)動態電阻rd：反映了二