半导体存储器课件.pptVIP

(2)SRAM的靜態存儲單元。SRAM存儲單元(a)六管NMOS存儲單元；(b)六管CMOS存儲單元SRAM的例子6264(或6164)7.5.2動態隨機存取記憶體(DRAM)半導體記憶體7.1半導體記憶體的分類半導體記憶體的種類很多，但一般按使用功能分兩大類：只讀記憶體:Read-onlyMemory，簡稱ROM隨機記憶體:RandomAccessMemory，簡稱RAMROM可分為以下幾種：固定（掩模）ROMPROM：可編程ROM(ProgramableROM)EPROM：可擦除可編程ROM(ErasablePROM)EEPROM／E2PROM：電可擦除可編程ROM(EclecticallyErasablePROM)閃存FM：FlashMemoryRAM分為靜態RAM：StaticRAM簡稱SRAM動態RAM：DynamicRAM簡稱DRAM7.2記憶體的組成半導體記憶體一般由存儲矩陣、地址選擇電路、輸入/輸出電路和控制電路構成7.3記憶體的主要技術指標存儲容量記憶體（或記憶體晶片）存放二進位資訊的總位數，即存儲容量=存儲單元數×每個單元的位數（或數據線位數）存取時間從CPU給出有效的記憶體地址啟動一次記憶體讀/寫操作，到該操作完成所經歷的時間存取週期連續啟動兩次獨立的記憶體讀/寫操作所需的最小間隔時間7.4只讀記憶體（ROM）ROM的結構框圖N字M位ROM結構二極體ROM結構圖上圖ROM的數據表ROM在組合邏輯設計中的應用例如，在上表中，將輸入地址A1A0視為輸入變數，而將D3、D2、D1、D0視為一組輸出邏輯變數，則D3、D2、D1、D0就是A1、A0的一組邏輯函數。ROM的與或陣列圖(a)框圖；(b)符號矩陣用ROM實現邏輯函數一般按以下步驟進行：(1)根據邏輯函數的輸入、輸出變數數，確定ROM容量，選擇合適的ROM。(2)寫出邏輯函數的最小項運算式，畫出ROM陣列圖。(3)根據陣列圖對ROM進行編程。例用ROM實現四位二進位碼到格雷碼的轉換。解(1)輸入是四位二進位碼B3~B0，輸出是四位格雷碼，故選用容量為24×4的ROM。(2)列出四位二進位碼轉換為格雷碼的真值表，如表9-2所示。由表可寫出下列最小項運算式：四位二進位碼轉換為格雷碼的真值表四位二進位碼轉換為四位格雷碼陣列圖ROM的編程及分類1.掩膜ROM掩膜ROM中存放的資訊是由生產廠家採用掩膜工藝專門為用戶製作的，這種ROM出廠時其內部存儲的資訊就已經“固化”在裏邊了，所以也稱固定ROM。它在使用時只能讀出，不能寫入，因此通常只用來存放固定數據、固定程式和函數表等。固定只讀記憶體（掩膜ROM）2.可編程ROM(PROM)熔絲型PROM的存儲單元PN結擊穿法PROM的存儲單元可編程只讀記憶體（PROM）3.可擦除的可編程ROM(EPROM)SIMOS管的結構和符號(1)EPROM的存儲單元採用浮柵雪崩注入MOS管可擦除可編程只讀記憶體（EPROM）EPROM的例子-2764(2)E2PROM的存儲單元E2PROM的存儲單元Flotox管的結構和符號電擦除可編程只讀記憶體EEPROM(E2PROM)(3)快閃記憶體(FlashMemory)快閃記憶體(a)疊柵MOS管；(b)存儲單元7.5隨機存取記憶體(RAM)7.5.1.靜態隨機記憶體(SRAM)(1)基本結構。SRAM主要由存儲矩陣、地址解碼器和讀/寫控制電路三部分組成，其框圖如圖9-11所示。靜態隨機存取記憶體(SRAM)SRAM的基本結構